JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反邏輯功率預驅動芯片
在功率電子領域，驅動芯片是連接控制信號與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整個系統的效率、可靠性與穩定性。今天要為大家介紹的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率預驅動芯片 —— 一款專為高壓、高速場景設計的 1.5A/250V 三相高同低反邏輯芯片，憑借單芯片集成、寬適配性、強防護等優勢，已成為電機控制、逆變器等領域的優選方案。
深圳市杰盛微半導體有限公司
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JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側同相柵極驅動芯片
在功率電子領域，柵極驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整機的效率、可靠性與安全性。今天給大家推薦一款國產高性能驅動芯片 ——JSM21867STR，來自杰盛微半導體（JSMSEMI），不僅參數硬核，更能直接替代 IRS21867，為電機驅動、電源轉換等場景提供高性價比解決方案。 -
JSM21864STR4A700V單相高低側同相柵極驅動芯片
在電子工程師的日常研發中，“芯片替代” 往往是繞不開的課題 —— 供應鏈波動、成本控制、性能升級等需求，都可能讓一款成熟產品的核心器件面臨替換。而在高壓柵極驅動領域，IRS21864 作為經典型號，其替代選型更是備受關注。今天，我們就來深度解析一款來自杰盛微（JSMSEMI）的高性價比替代方案 ——JSM21864STR，從參數匹配到場景適配，全方位驗證它為何能成為 IRS21864 的 “理想平替”。 -
JSM2183STR4A 700V集成自舉高側同低側反驅動芯片
在工業控制、家電變頻、電機驅動的世界里，功率驅動芯片就像 “神經中樞”，決定著整個系統的穩定性、效率與安全性。長期以來，IR2183 作為經典的高低側驅動芯片，在市場中占據重要地位。但隨著技術迭代與應用需求升級，一款更具性能優勢的替代方案已悄然崛起 ——JSM2183STR 4A700V 集成自舉高側同低側反驅動芯片。今天，我們就來深入解析這款國產芯片如何憑借兩大核心優勢，成為 IR2183 的理想替代者，為工程師們的設計之路降本增效。 -
JSM21814STRPBF 700V大電流高、低側MOSFET/IGBT驅動芯片
在電力電子領域，一款穩定可靠的驅動芯片是系統高效運行的核心保障。今天為大家推薦一款性能卓越的替代方案 ——JSM21814STRPBF，它可完美替代 IRS21814STRPBF，憑借 700V 高壓支持、大電流驅動能力和多重保護設計，成為電機控制、逆變器等場景的理想之選 -
JSM2181STR 700V單相高低側柵極驅動芯片
在功率電子領域，柵極驅動芯片如同系統的 “神經中樞”，直接決定著功率器件的開關性能與系統可靠性。長期以來，IRS2181 作為經典的 600V 半橋驅動芯片，憑借穩定的性能占據著不小的市場份額。但隨著高壓應用場景的不斷拓展，一款名為 JSM2181STR 的 700V 單相高低側柵極驅動芯片正憑借更優異的性能參數，成為工程師眼中替代 IRS2181 的理想之選。今天我們就從技術參數、保護機制、應用適配等維度，全面解析這款國產驅動芯片的硬核實力。 -
JSM27710DR單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片
在功率電子技術飛速發展的今天，驅動芯片作為功率器件的 “大腦”，其性能與可靠性直接決定了整個電子系統的穩定性。面對市場對高性價比、高兼容性功率驅動方案的迫切需求，國內領先的半導體企業杰盛微（JSMSEMI）正式推出重磅產品 ——JSM27710DR 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片，作為 UCC27710DR 的完美替代型號，為工程師們帶來更可靠、更適配的技術選擇！ -
JSM2104STR700V 集成自舉帶SD功能單相高低側柵極驅動芯片
在功率電子領域，柵極驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接影響系統的穩定性、效率與可靠性。今天給大家推薦一款國產高性價比柵極驅動芯片 ——JSM2104STR，它不僅性能優異，更是 EG2104 的理想替代型號，輕松適配各類功率應用場景。 -
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JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片
在功率電子驅動領域，穩定可靠的柵極驅動芯片是電路高效運行的核心。如果你正在尋找 FD2203 的高性價比替代方案，杰盛微半導體推出的JSM2203STR絕對值得關注！這款 4A250V 集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片，不僅兼容 FD2203 的核心功能，更在性能、可靠性和應用靈活性上實現升級，為電機控制、逆變器、充電樁等場景提供強力支持。 -
JSM2008STR PBF250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片
在功率電子領域，半橋驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整個系統的穩定性、效率與可靠性。杰盛微半導體推出的JSM2008STR作為一款 250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片，不僅繼承了 IRS2008STR 的核心優勢，更在兼容性與實用性上實現了無縫替代，成為高壓 MOSFET 驅動場景的理想選擇。本文將基于數據手冊，從性能特性、電氣規格、設計要點到應用場景進行全面解析。