全球半導體產業邁入人工智能（AI）與高性能計算（HPC）驅動的新時代，散熱管理正逐漸成為影響芯片設計與制程能否突破的內核瓶頸。當3D堆棧、2.5D集成等先進封裝架構持續推升芯片密度與功耗，傳統陶瓷基板已難以滿足熱通量需求。晶圓代工龍頭臺積電正以一項大膽的材料轉向回應這一挑戰，那就是全面擁抱12英寸碳化硅（SiC）單晶基板，并逐步退出氮化鎵（GaN）業務。此舉不僅象征臺積電在材料戰略recalibration，更顯示散熱管理已經從“輔助技術”升格為“競爭優勢”的關鍵。

碳化硅以寬能隙半導體聞名，過去主要用于高效率電力電子器件，如電動車逆變器、工業馬達控制與新能源基礎設施。然而，SiC的潛力不止于此，優異熱導率可達約500W/mK，遠高于常見陶瓷基板如氧化鋁（Al?O?）或藍寶石（Sapphire）。

AI加速器、數據中心處理器及AR智能眼鏡等高密度應用逐步落地，散熱空間受限問題日益嚴峻。尤其是在穿戴式設備中，微型芯片組件貼近眼睛，若無精確的熱控將影響安全與穩定性。這使得臺積電憑借長年在12英寸晶圓制程的經驗，正推動以大尺寸單晶SiC取代傳統陶瓷基板。這意味著不必重建制造體系，即能在既有產線導入新材料，兼顧良率與成本優勢。

雖然，用于散熱管理的SiC基板不需達到功率組件那般嚴苛的電性缺陷標準，但晶體完整性依舊至關重要。許多外在因素不僅會干擾聲子傳導，削弱熱導率，還可能造成局部過熱，進而影響機械強度與表面平整度。對12英寸大尺寸晶圓而言，翹曲與變形更是關鍵課題，因其直接影響芯片貼合與先進封裝的良率。因此，業界焦點已從“消除電性缺陷”轉向“確保體密度均勻、低孔隙率與高表面平整度”，這些條件被視為高良率量產SiC散熱基板的前提。

報道表示，SiC結合了高熱導率、強機械性與抗熱沖擊性，在2.5D與3D封裝架構中展現出獨特優勢。包括在2.5D集成方面，芯片并排架設于硅或有機中介層上，信號連接短且高效，散熱挑戰主要在水平方向上。另外，在3D集成方面，芯片通過硅通孔（TSV）或混合鍵合垂直堆棧，連接密度極高，但散熱壓力也隨之倍增。因此，SiC除了能作為被動散熱材料，亦可搭配鉆石、液態金屬等先進散熱方案，構成“混合式冷卻”解決方案。

日前臺積電宣布，預計于2027年前逐步退出氮化鎵（GaN）業務，將資源轉投SiC領域。此舉顯示公司對市場與材料策略的重新評估。因為相比GaN在高頻應用優勢，SiC在熱管理的全面性與可擴展性更符合臺積電的長遠布局。12英寸大尺寸化，不僅可降低單位成本，還能提升制程均勻性。盡管SiC在切片、拋光與平坦化上仍面臨挑戰，但臺積電的既有設備與封裝工藝能力，使其有望克服障礙，加速量產落地。

事實上，過去SiC幾乎與電動車功率組件劃上等號。然而，臺積電正推動SiC跨入新應用，例如導電型N型SiC作為散熱基板，在高性能處理器、AI加速器中承擔熱擴散角色。或者半絕緣型SiC為中介層（Interposer），以在芯片分割與Chiplet設計，提供電性隔離與熱傳導兼顧的解決方案。這些新路徑，意味著SiC不再只是“電力電子的代名詞”，而是將成為AI與數據中心“芯片熱管理骨干”的基石材料。

高端材料領域，鉆石與石墨烯雖擁有極高熱導率（鉆石可達1,000~2,200W/mK，單層石墨烯更高達3,000~5,000W/mK），但其高昂成本與制程規模化困難，使其難以成為主流。液態金屬、導電凝膠與微流體冷卻等替代方案雖有潛力，但在集成性與量產成本上亦存挑戰。相較之下，SiC以“性能、機械強度與可量產性兼具”的特點，展現出最具實際性的折衷方案。

因此，臺積電在12英寸晶圓制造上的深厚經驗，使其有別于其他競爭者。不僅能以既有基礎加速SiC平臺建構，還能憑借高度制程控制能力，快速將材料優勢轉化為系統級散熱方案。與此同時，英特爾推動背面供電（Backside Power Delivery）與熱─功率協同設計，顯示全球龍頭廠商皆已將散熱視為內核競爭力。