近日，高通公司在印度芯片設計領域實現重要突破，展示了其在該國持續深耕的研發成果。這一里程碑于2月7日公布——高通技術公司宣布已完成2nm半導體設計的流片，標志著印度在先進芯片設計領域邁出關鍵一步。

在印度鐵道部、信息與廣播部及電子與信息技術部部長阿什維尼·瓦伊什納夫參觀高通位于班加羅爾的工廠期間，該成果得以正式呈現。高通表示，此項進展不僅體現了其全球工程實力，也凸顯了其在班加羅爾、欽奈和海得拉巴的研發中心之間的高效協作。這些研發基地已成為高通在美國以外規模最大、技術最先進的工程團隊之一。

公司指出，這一成就進一步鞏固了印度作為尖端半導體開發重要樞紐的地位，并展現出高通對支持與加速印度半導體產業發展的長期承諾。

阿什維尼·瓦伊什納夫部長在參觀中表示：“印度正日益成為先進半導體技術未來設計的核心地區。高通在印度展現出的工程實力、深厚的設計能力以及長期投入令人印象深刻。此類里程碑表明，印度設計生態系統已取得長足進步，并與我國打造具有全球競爭力半導體產業的愿景高度契合。”

印度電子信息技術部副部長兼半導體使命首席執行官阿米特什·庫馬爾·辛哈指出：“在日益完善的設計生態系統及行業持續參與的支持下，印度半導體使命正穩步推進。對先進工程與研發能力的投入對構建本土長期半導體產能至關重要。高通對印度的長期承諾，反映了印度半導體設計生態的不斷成熟，并將助力印度實現成為全球半導體創新中心的目標。”

高通印度工程高級副總裁斯里尼·馬達利稱：“這一成就充分證明了我們在印度工程團隊的強大實力與專業深度。開展先進半導體設計需與全球項目及架構團隊緊密協作，而我們的印度團隊始終保持著世界級水準。我們與印度及全球眾多伙伴合作，共同推進數字化轉型進程。印度一直是我們全球工程路線圖的重要組成部分，本次里程碑再次彰顯了印度團隊的卓越能力與影響力。”

另一名高通工程高級副總裁沙希·雷迪補充道：“我們在印度的研發中心在系統設計的多個層面——從架構到實現，從軟件平臺到用例優化——均做出了重要貢獻。”

高通在印度的投資已超過二十年，在此期間逐步建立起規模位居美國以外前列的工程研發體系。此次2nm設計流片的完成，進一步印證了印度在全球半導體創新鏈中日益提升的地位。