- TrendForce:受鎧俠原料污染事件影響,NAND Flash 合約價 Q2 上漲約 3%-8%
- 消息稱 NAND 閃存價格今年下半年進一步下跌,季度降幅達近 20%
- 又一家國產先進NAND閃存即將量產!工藝:19納米
- 緊追 SK 海力士,三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱 SK 海力士正開發基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce 預計 NAND 閃存需求明年增長 28.9%,供給增長 32%
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存:傳輸速度提升 50%,能耗減少 21%
- SK 海力士開發出 238 層 NAND 閃存芯片,明年上半年量產
- SK 海力士擬年內試產 238 層 NAND 閃存
- SK海力士擬年內試產238層NAND閃存