高壓與中低壓MOSFET技術解析：合科泰產品矩陣與場景適配指南
功率半導體器件一直以來都在朝著高頻化、低功耗的方向演進，MOSFET 已經形成了高壓與中低壓兩大技術的分支。錯誤選型對電路拓撲的系統影響，很可能會導致設備發熱嚴重、待機功耗超標，嚴重的話甚至會縮短產品的生命周期。合科泰的高壓和中低壓 MOS 管產品矩陣，能夠精準覆蓋不同的場景，本文可以為工程師提供器件的完整決策框架。
廣東合科泰實業有限公司
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解決VBUS開關難題，P溝道MOSFET來助力
在電子工程領域，VBUS開關的性能對于電子設備的穩定運行至關重要。很多中層管理者在實際工作中，常常會遇到VBUS開關方面的各種問題，今天就來和大家深入探討這些問題，并介紹一款能有效解決問題的產品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。 -
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合科泰MOS管HKTD120N04，工業變頻器的理想之選
工業變頻器核心元件的國產化替代已成為制造業降本增效的關鍵。進口MOS管普遍面臨三大痛點：交期長達3-6個月導致生產停滯、高頻開關損耗降低設備效率、復雜散熱設計推高成本。合科泰HKTD120N04作為國產替代方案，以低導通電阻、快速交付與工業級可靠性，為變頻器廠商提供理想選擇。 -
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合科泰SI2301 MOSFET：精簡版選型指南
合科泰SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET，專為DC-DC轉換器與負載開關設計。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸適合高密度PCB布局，通過超低導通電阻、快速開關特性與高可靠性設計，為電子設備提供高效能功率控制解決方案。 該器件平衡性能與成本需求，可直接替代同類150mΩ產品，在保持相同可靠性的同時降低40%導通損耗，特別適合對空間和能效雙重敏感 -
國產MOS管HKTD120N04，打破工業應用困局！
對于工業變頻器廠家、充電樁企業、電動兩三輪車制造商等企業來說，他們在選擇電子元器件時面臨著不少困擾。進口品牌雖然性能不錯，但交期長，常常影響生產進度；高頻應用時開關損耗高，導致設備效率低下；散熱設計復雜，增加了產品的設計和生產成本。2025-08-27 閱讀：210 -
