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深圳市杰盛微半導(dǎo)體有限公司

聯(lián)系人：楊靜璇

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JSM21864STR4A700V單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片

在電子工程師的日常研發(fā)中，“芯片替代” 往往是繞不開的課題 —— 供應(yīng)鏈波動、成本控制、性能升級等需求，都可能讓一款成熟產(chǎn)品的核心器件面臨替換。而在高壓柵極驅(qū)動領(lǐng)域，IRS21864 作為經(jīng)典型號，其替代選型更是備受關(guān)注。今天，我們就來深度解析一款來自杰盛微（JSMSEMI）的高性價比替代方案 ——JSM21864STR，從參數(shù)匹配到場景適配，全方位驗(yàn)證它為何能成為 IRS21864 的 “理想平替”。

2025-08-21 閱讀：255 關(guān)鍵詞： JSM21864STR IRS21864 芯片替代高壓柵極驅(qū)動多場景適配
JSM2183STR4A 700V集成自舉高側(cè)同低側(cè)反驅(qū)動芯片

在工業(yè)控制、家電變頻、電機(jī)驅(qū)動的世界里，功率驅(qū)動芯片就像 “神經(jīng)中樞”，決定著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與安全性。長期以來，IR2183 作為經(jīng)典的高低側(cè)驅(qū)動芯片，在市場中占據(jù)重要地位。但隨著技術(shù)迭代與應(yīng)用需求升級，一款更具性能優(yōu)勢的替代方案已悄然崛起 ——JSM2183STR 4A700V 集成自舉高側(cè)同低側(cè)反驅(qū)動芯片。今天，我們就來深入解析這款國產(chǎn)芯片如何憑借兩大核心優(yōu)勢，成為 IR2183 的理想替代者，為工程師們的設(shè)計(jì)之路降本增效。

2025-08-18 閱讀：269 關(guān)鍵詞： JSM2183STR 功率驅(qū)動芯片高壓大電流多重保護(hù) 國產(chǎn)替代
JSM21814STRPBF 700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

在電力電子領(lǐng)域，一款穩(wěn)定可靠的驅(qū)動芯片是系統(tǒng)高效運(yùn)行的核心保障。今天為大家推薦一款性能卓越的替代方案 ——JSM21814STRPBF，它可完美替代 IRS21814STRPBF，憑借 700V 高壓支持、大電流驅(qū)動能力和多重保護(hù)設(shè)計(jì)，成為電機(jī)控制、逆變器等場景的理想之選

2025-08-16 閱讀：215 關(guān)鍵詞： JSM21814STRPBF 驅(qū)動芯片高壓大電流多重保護(hù) 應(yīng)用廣泛
JSM2181STR 700V單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片

在功率電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動芯片如同系統(tǒng)的 “神經(jīng)中樞”，直接決定著功率器件的開關(guān)性能與系統(tǒng)可靠性。長期以來，IRS2181 作為經(jīng)典的 600V 半橋驅(qū)動芯片，憑借穩(wěn)定的性能占據(jù)著不小的市場份額。但隨著高壓應(yīng)用場景的不斷拓展，一款名為 JSM2181STR 的 700V 單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片正憑借更優(yōu)異的性能參數(shù)，成為工程師眼中替代 IRS2181 的理想之選。今天我們就從技術(shù)參數(shù)、保護(hù)機(jī)制、應(yīng)用適配等維度，全面解析這款國產(chǎn)驅(qū)動芯片的硬核實(shí)力。

2025-08-16 閱讀：194 關(guān)鍵詞： JSM2181STR 柵極驅(qū)動芯片 700V高壓多重保護(hù) 廣泛應(yīng)用
JSM27710DR單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

在功率電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，驅(qū)動芯片作為功率器件的 “大腦”，其性能與可靠性直接決定了整個電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性。面對市場對高性價比、高兼容性功率驅(qū)動方案的迫切需求，國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)杰盛微（JSMSEMI）正式推出重磅產(chǎn)品 ——JSM27710DR 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片，作為 UCC27710DR 的完美替代型號，為工程師們帶來更可靠、更適配的技術(shù)選擇！

2025-08-12 閱讀：194 關(guān)鍵詞： JSM27710DR 功率驅(qū)動芯片 UCC27710替代產(chǎn)品特性應(yīng)用場景
JSM2104STR700V 集成自舉帶SD功能單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片

在功率電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。今天給大家推薦一款國產(chǎn)高性價比柵極驅(qū)動芯片 ——JSM2104STR，它不僅性能優(yōu)異，更是 EG2104 的理想替代型號，輕松適配各類功率應(yīng)用場景。

2025-08-12 閱讀：361 關(guān)鍵詞： JSM2104STR 柵極驅(qū)動芯片 EG2104替代產(chǎn)品特性應(yīng)用場景
芯片超人花姐親臨杰盛微，共探半導(dǎo)體新征途

半導(dǎo)體行業(yè)的 “芯片超人” 花姐，自 2005 年入行深耕芯片領(lǐng)域 17 年，經(jīng)手超 10 億采購額，積累了深厚行業(yè)資源。2017 年創(chuàng)立 “芯片超人” ，憑借專業(yè)內(nèi)容收獲全網(wǎng) 50 萬 + 粉絲，成為行業(yè)知名 KOL。她帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)打造芯片供應(yīng)鏈服務(wù)平臺，為近 4000 家 B 端客戶提供撮合交易、國產(chǎn)替換等服務(wù)，是半導(dǎo)體領(lǐng)域極具影響力的實(shí)干者。

2025-08-09 閱讀：346 關(guān)鍵詞：杰盛微半導(dǎo)體芯片超人花姐半導(dǎo)體行業(yè) 國產(chǎn)替代技術(shù)創(chuàng)新
JSM2006G650V集自舉單相高低側(cè)同相電機(jī)驅(qū)動芯片

在電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域，芯片的穩(wěn)定性、兼容性和性能直接影響設(shè)備的運(yùn)行效率與壽命。杰盛微半導(dǎo)體自主研發(fā)的JSM2006G 650V 集自舉單相高低側(cè)同相電機(jī)驅(qū)動芯片，憑借優(yōu)異的參數(shù)表現(xiàn)和廣泛的兼容性，成為替代 PT5606、KP85302 的理想選擇，為電機(jī)控制、家電、逆變器等場景提供高性價比解決方案。

2025-08-09 閱讀：180 關(guān)鍵詞：杰盛微半導(dǎo)體 JSM2006G 電機(jī)驅(qū)動芯片芯片替代性能參數(shù)
JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅(qū)動芯片

在功率電子驅(qū)動領(lǐng)域，穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動芯片是電路高效運(yùn)行的核心。如果你正在尋找 FD2203 的高性價比替代方案，杰盛微半導(dǎo)體推出的JSM2203STR絕對值得關(guān)注！這款 4A250V 集成自舉半橋高同低反柵極驅(qū)動芯片，不僅兼容 FD2203 的核心功能，更在性能、可靠性和應(yīng)用靈活性上實(shí)現(xiàn)升級，為電機(jī)控制、逆變器、充電樁等場景提供強(qiáng)力支持。

2025-08-06 閱讀：164 關(guān)鍵詞： JSM2203STR FD2203 柵極驅(qū)動芯片電機(jī)控制替代方案
JSM2008STR PBF250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅(qū)動芯片

在功率電子領(lǐng)域，半橋驅(qū)動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。杰盛微半導(dǎo)體推出的JSM2008STR作為一款 250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅(qū)動芯片，不僅繼承了 IRS2008STR 的核心優(yōu)勢，更在兼容性與實(shí)用性上實(shí)現(xiàn)了無縫替代，成為高壓 MOSFET 驅(qū)動場景的理想選擇。本文將基于數(shù)據(jù)手冊，從性能特性、電氣規(guī)格、設(shè)計(jì)要點(diǎn)到應(yīng)用場景進(jìn)行全面解析。

2025-08-05 閱讀：405 關(guān)鍵詞：杰盛微半導(dǎo)體 JSM2008STR 半橋驅(qū)動芯片高壓MOSFET驅(qū)動應(yīng)用場景
JSM2003STR250V單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

在電力電子領(lǐng)域，功率驅(qū)動芯片猶如 “神經(jīng)中樞”，直接決定著功率器件的開關(guān)效率、系統(tǒng)穩(wěn)定性與安全可靠性。隨著電機(jī)控制、智能家電、逆變器等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅茯?qū)動芯片的需求激增，一款能兼容經(jīng)典型號、且在性能上實(shí)現(xiàn)突破的驅(qū)動芯片，成為工程師們的迫切需求。杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片，不僅完美替代 TF2003M、IRS2003 等經(jīng)典型號，更在可靠性、效率與適配性上實(shí)現(xiàn)全面升級，為工業(yè)與消費(fèi)電子領(lǐng)域提供了更優(yōu)解。

2025-08-01 閱讀：347 關(guān)鍵詞： JSM2003STR 功率驅(qū)動芯片電機(jī)控制逆變器國產(chǎn)替代
JSM5109G1.2A 250V單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片

在電機(jī)控制、逆變器等電力電子系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動芯片就像 “神經(jīng)中樞”，負(fù)責(zé)精準(zhǔn)控制功率 MOSFET 的開關(guān)狀態(tài)。選對驅(qū)動芯片，系統(tǒng)效率能提升 15% 以上，故障率降低 30%；選錯了，則可能面臨頻繁宕機(jī)、功耗飆升等問題。今天，杰盛微要給大家推薦一款 “全能選手”JSM5109G。作為 1.2A 250V 單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片，它不僅能完美替代 U3116S、EG2132，更在性能、可靠性、兼容性上實(shí)現(xiàn)了 “越級” 表現(xiàn)。

2025-07-31 閱讀：411 關(guān)鍵詞： JSM5109G 柵極驅(qū)動芯片電機(jī)控制逆變器國產(chǎn)替代

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