中商情報網訊：隨著新能源汽車賽道爆發，碳化硅市場進入蓬勃發展階段。碳化硅作為目前半導體產業最熱門的賽道之一，吸引了眾多半導體大廠以及初創新銳力量參與其中。中國當下的智能汽車變革浪潮，為碳化硅模塊的發展帶來了新的機遇和新的挑戰。

市場規模

碳化硅功率器件

碳化硅功率器件又稱電力電子器件，主要應用于電力設備電能變換和控制電路方面的大功率電子器件，有功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。

隨著技術突破和成本的下降，SiC器件預計在不遠的將來會大規模的應用于各個領域。根據數據，2018年和2021年碳化硅功率器件市場規模分別約4億和9.3億美元，復合增速約32.4%，按照該復合增速，中商產業研究院預計2022年碳化硅功率器件市場規模約10.9億美元。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅器件市場規模增速可觀。

數據來源：Yole、中商產業研究院整理

碳化硅功率半導體

與硅基半導體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導率、高抗輻射能力等特點，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。根據Omdia統計，2019年全球SiC功率半導體市場規模為8.9億美元，受益于新能源汽車及光伏領域需求量的高速增長，2020年約為11.2億美元。預計2024年全球SiC功率半導體市場規模預計將達26.6億美元，年均復合增長率達到24.5%。

數據來源：Omdia、中商產業研究院整理

發展前景

1.政策利好行業發展

近年來從國家到地方相繼制定了一系列產業政策來推動碳化硅襯底產業的發展。《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出集中電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集中電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。

2.新能源汽車爆發帶動行業發展

汽車動力系統在發生三大變化，動力來源從內燃機演變為電動機，功率半導體材料從硅轉向碳化硅，碳化硅在800V主電機控制器應用是大勢所趨。目前整個車規級碳化硅行業發展前景非常好，碳化硅需求井噴式的爆發，廣州、深圳等很多地方都在發展碳化硅產業。

3.產業鏈逐步完善帶動行業發展

不斷突破襯底材料、外延、芯片和封裝測試瓶頸，開發新工藝和新技術，加速實現6英寸SiC襯底和外延材料的產業化轉移，降低材料的缺陷密度、提高產品良率和降低成本。推動建設國際一流的SiC和Foundry，加速建設能夠充分發揮第三代半導體材料和器件性能的先進封裝線。