中商情報網(wǎng)訊：氧化銦錫（IndiumTinOxide，簡稱“ITO”），它是一種由氧化銦和氧化錫粉末按照一定比例混合后，經(jīng)過一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫燒結(jié)形成的黑灰色陶瓷半導體材料。ITO具有高的導電率、優(yōu)異的可見光透過率、較強的機械硬度和良好的化學穩(wěn)定性，主要應用領(lǐng)域有平面顯示面板、太陽能電池、光學鍍膜等。ITO靶材是濺射靶材中陶瓷靶材中陶瓷靶材的一種。

ITO靶材市場容量

中國已成為世界上最大的銦靶材需求國。2019年至2021年，我國ITO靶材市場容量從639噸增長到1002噸，年復合增長率為25.22%。根據(jù)中國光學光電子行業(yè)協(xié)會液晶分會分析，未來2-3年內(nèi)，雖然國內(nèi)平面顯示行業(yè)的固定資產(chǎn)投資增速將有所放緩，但由于平面顯示行業(yè)存量需求及太陽能光伏電池的增量需求，國內(nèi)ITO靶材市場容量仍將保持一定幅度的增長。預計2022年能達到1067噸，2024年達到1207噸。

數(shù)據(jù)來源：中國光學光電子行業(yè)協(xié)會液晶分會、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

ITO靶材未來發(fā)展趨勢

1.尺寸大型化

隨著電視、PC等面板面積加速向大尺寸化邁進，相應的ITO玻璃基板也出現(xiàn)了明顯的大型化的趨勢，這使得對ITO靶材尺寸的要求越來越大。為滿足大面積鍍膜工藝要求，往往需使用多片或多節(jié)小尺寸靶材拼焊成大尺寸靶材，但焊縫的存在會導致靶材鍍膜質(zhì)量的下降。因此，研發(fā)大尺寸單片（單節(jié)）靶材，減少焊縫數(shù)量成為ITO靶材技術(shù)發(fā)展趨勢。

2.高密度化

提高靶材的密度有助于減少毒化現(xiàn)象，并降低電阻率，提高靶材的使用壽命。毒化是指濺射過程中ITO靶材表面出現(xiàn)凸起物的結(jié)瘤現(xiàn)象，毒化會導致靶材濺射速率降低，弧光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加，透光率降低且均勻性變差，此時必須停止濺射，清理靶材表面或更換靶材。高密度ITO靶材具有較好的熱傳導性和較小的界面電阻，不易在濺射過程中發(fā)生熱量蓄積，可減少毒化概率。

3.利用率提高

提高靶材利用率一直是靶材制備行業(yè)研究的熱點和難點。在濺射過程中，ITO平面靶材表面會形成環(huán)形磁場，并在環(huán)形表面進行刻蝕，這使得環(huán)形區(qū)域的中心部分無法被濺射，導致平面靶材的利用率較低，目前ITO平面靶材的靶壞利用率一般不超過40%。ITO旋轉(zhuǎn)靶材相較平面靶材在利用率上有較大提升，旋轉(zhuǎn)靶材圍繞固定的條狀磁鐵組件進行旋轉(zhuǎn)，使得整個靶面都可以被均勻刻蝕，提高了靶材的利用率，目前ITO旋轉(zhuǎn)靶材的靶壞利用率可達70%以上。提高ITO靶材利用率有助于提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。