而ASML預計在2024年或2025年會交付最新一代的High-NA極紫外光刻機EXE:5200，它能夠制造2nm，甚至是1.8nm的芯片。

因為英特爾計劃在2025年實現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，用的就是EXE:5200，所以很明顯，EXE:5200是能夠制造2nm芯片的。

至于2nm之后，EUV光刻機還行不行？能不能達到這個精度？目前不管是intel，還是ASML，或者是臺積電、三星，目前都沒有太多規(guī)劃，因為還離得太遠了，很多技術(shù)還沒法落實，自然就不會對外公開什么。

不過近日，有一家美國企業(yè)，或許給大家提供了另外一個思路，那就是2nm之后，不一定非得用EUV光刻機，另外一套光刻系統(tǒng)，也一樣可以實現(xiàn)的，那就是EBL電子束光刻機。

按照媒體的報道稱，美國公司Zyvex使用電子束光刻技術(shù)制造了768皮米，也就是0.7nm的芯片。

所謂的電子束光刻機，就是利用能量非常低的電子來進行光刻，其精度遠比EUV光刻機更高，所以制造出了768皮米的芯片。

Zyvex還表示稱，這樣的光刻機已經(jīng)可以商用了，只需要6個月就可以交貨，估計接下來一定會有眾多的廠商找它訂貨。

不過中國大陸注定是買不到的，EUV光刻機都買不到，更先進的當然就更加買不到了，這個原因不用我多說。

另外值得注意的是，目前Zyvex的這種電子束光刻機有一個大缺點，那就是產(chǎn)量很低，無法大規(guī)模制造芯片，不過未來這種技術(shù)會不會得到改進，從而能夠大規(guī)模制造芯片，就不得而知了。

反正現(xiàn)在該緊張的是ASML了，目前ASML靠獨一無二的EUV光刻機，卡住全球晶圓廠的脖子，一旦大家不依賴EUV光刻機了，ASML該怎么辦？