為了阻止中國發展芯片產業，美國可謂絞盡腦汁，這次更是拉上了日本和荷蘭，意圖通過在芯片設備方面著手，阻止中國發展芯片產業，然而就此此時中國卻突然傳出三條消息，這將打破美國在芯片行業的技術壟斷，讓美國的圖謀破產。

美國拉攏日本和荷蘭的目的是在芯片設備方面著手，荷蘭的ASML無疑是光刻機的領軍者，占有光刻機市場六成市場份額，而且全球市場最先進的EUV光刻機只有ASML能生產，至今ASML都未向中國交付EUV光刻機，這確實給中國發展先進工藝帶來了阻礙。

日本則擁有尼康、佳能等兩家光刻機企業，它們在光刻機市場占有近四成的市場份額；日本其實在芯片設備、芯片材料方面也有很強的影響力，幾年前日本暫停向韓國的三星等供應光刻膠，就給韓國芯片造成了麻煩，后來韓國組織三星等多家芯片共同研發光刻膠，迅速擺脫了對日本芯片材料的依賴。

由此可以看出美國拉攏日本和荷蘭不僅對中國發展先進工藝產生影響，甚至可能對當下中國正積極擴張的28納米等成熟工藝也會產生影響，凸顯出美國的圖謀，那就是不僅阻止中國發展先進工藝，甚至還試圖對成熟工藝施加影響。

面對美國的蠻橫，中國迅速予以反擊，中國基于當前的硅基材料已在大力發展國產產業鏈，近日就有兩臺國產光刻機進駐昆山一家芯片企業，南大光電也已研發出5納米光刻膠，成熟工藝的諸多環節都在打通，而在先進芯片方面，中國則在多方面入手。

第一個是量子芯片，早前央視就探訪了量子芯片生產線，證明中國籌建的量子芯片生產線技術已取得突破，第一條量子芯片生產線預計年內就能投產，量子芯片具有超低功耗、計算速度比硅基芯片快萬倍的優勢。

第二個是光子芯片，中科院早前就傳出了3納米光子芯片晶體管技術，而北京一家企業也在籌建全球第一條光子芯片生產線，證明中國在光子芯片方面也有突破。光子芯片和量子芯片都無需ASML的EUV光刻機，可以利用現有的設備，而且中國還在研發自己的光子芯片和量子芯片設備，確保芯片設備完全自研。

第三個是半導體材料，中國在半導體材料方面已取得長足進展，第二代半導體材料已開始進入實際應用，早前日媒拆解的中國一家科技企業的5G小基站就發現已開始采用砷化鎵，第三代半導體材料氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO），中國的研發也不落后，甚至還有所領先，中國還在研發石墨烯技術，這些芯片材料的引入都可以大幅提升芯片性能，擺脫美國領導的硅基芯片技術限制。

可以說中國在多管齊下推進先進芯片技術，打破美國對中國芯片技術發展的限制，甚至這些芯片技術的實現最終將推動中國開辟芯片技術的新道路，甚至取得全球領先優勢，終結美國在芯片技術方面的主導地位。

這突顯出中國近幾年來在芯片技術方面確實取得了長足的進展，甚至一些先進芯片技術已開始應用，中國芯片行業已有很大的技術提升，這也與中國近10年來大舉投資研發分不開，中國的研發投入已居于全球第二，巨額的研發投入在各個行業都打下了基礎，如今到了即將全面爆發的階段，美國必然擋不住中國芯片前進的腳步。