中商情報(bào)網(wǎng)訊：目前，全球射頻前端芯片市場(chǎng)主要被歐美廠商占據(jù)，我國(guó)生產(chǎn)廠商目前主要在射頻開(kāi)關(guān)和低噪聲放大器等產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，并逐步實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。

射頻前端芯片市場(chǎng)規(guī)模

射頻前端芯片行業(yè)因產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)智能終端，行業(yè)戰(zhàn)略地位逐步提升，我國(guó)射頻前端芯片行業(yè)迎來(lái)巨大發(fā)展機(jī)會(huì)，在全球市場(chǎng)的占有率有望大幅提升。在相關(guān)新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展以及國(guó)家政策大力扶持的雙重驅(qū)動(dòng)下，2022年我國(guó)射頻前端芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到914.4億元。中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，2023年我國(guó)射頻前端芯片市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)達(dá)到975.7億元。

數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn)、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

射頻前端芯片發(fā)展趨勢(shì)

1.集成化、模組化是射頻前端芯片發(fā)展的趨勢(shì)，將進(jìn)一步提高市場(chǎng)準(zhǔn)入門檻

新一代通信技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)的多頻段、高頻率收發(fā)需求，以及 MU-MIMO技術(shù)的應(yīng)用，進(jìn)一步增加了智能終端對(duì)射頻器件數(shù)量的需求。同時(shí)智能終端輕薄化、小型化的發(fā)展趨勢(shì)，使分立式射頻器件已經(jīng)無(wú)法滿足要求，射頻器件集成化、模組化發(fā)展已成趨勢(shì)。

對(duì)于射頻芯片設(shè)計(jì)廠商而言，將分立器件集成至單個(gè)模組需要解決發(fā)射端同接收端間的電磁干擾、模組內(nèi)各芯片的熱管理、在小空間內(nèi)布版走線等問(wèn)題。集成化、模組化意味著對(duì)其設(shè)計(jì)能力、選擇的制造工藝以及封裝工藝均提出更高的要求。

2.通信技術(shù)迭代升級(jí)加快，對(duì)射頻前端芯片性能要求更高

通信技術(shù)是電子產(chǎn)品聯(lián)網(wǎng)通信的技術(shù)基礎(chǔ)，近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)、AR、VR、云宇宙等新興領(lǐng)域的興起，電子產(chǎn)品對(duì)通信技術(shù)的需求日益提高，更加強(qiáng)調(diào)高頻段、大容量、低時(shí)延等使用體驗(yàn)。射頻前端芯片是電子產(chǎn)品聯(lián)網(wǎng)通信的硬件基礎(chǔ)，通信技術(shù)持續(xù)的迭代升級(jí)及下游應(yīng)用領(lǐng)域日益復(fù)雜的需求，均對(duì)射頻前端芯片的性能提出了更高要求，同時(shí)也進(jìn)一步提升射頻模塊的單機(jī)價(jià)值量，為射頻前端芯片設(shè)計(jì)企業(yè)帶來(lái)全新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

在芯片設(shè)計(jì)方面，新一代通信技術(shù)通信頻段的不斷提升，也帶來(lái)信號(hào)衰減加快的問(wèn)題，因此射頻前端芯片的發(fā)射端需要有更高的發(fā)射功率，以實(shí)現(xiàn)更廣的通信距離。大容量、高傳輸速率使得射頻前端芯片在單位時(shí)間內(nèi)所需處理的射頻信號(hào)數(shù)量提升，對(duì)射頻前端芯片信號(hào)模擬的線性度的要求更高。新一代通信系統(tǒng)天線數(shù)量的增加以及發(fā)送信號(hào)的通道增加，均將導(dǎo)致射頻前端芯片的功耗、發(fā)熱增加，因此終端產(chǎn)品的熱管理也對(duì)射頻前端芯片的功耗提出更高的要求。

通信技術(shù)高速迭代升級(jí)的背景下，追求高功率、高線性度、低功耗以及恰當(dāng)?shù)牟牧瞎に囘x擇，成為射頻前端芯片設(shè)計(jì)研發(fā)的主要方向。

3.射頻前端芯片對(duì)材料及工藝要求高，與供應(yīng)鏈的合作將更加緊密

射頻前端芯片屬于模擬芯片，對(duì)設(shè)計(jì)、工藝和材料的要求相對(duì)較高，需要設(shè)計(jì)公司更多地考慮晶圓材料、封裝測(cè)試方案，并與晶圓制造及封測(cè)廠商緊密配合合作。國(guó)際射頻前端芯片龍頭企業(yè)，如Skyworks、Qorvo 等，擁有雄厚的資金實(shí)力，均采用 IDM 模式，擁有自有的晶圓制造、封裝及測(cè)試廠。

在材料及工藝方面，隨著半導(dǎo)體材料的不斷發(fā)展，以 CMOS、SOI 工藝為代表的硅基半導(dǎo)體材料，主要滿足中低頻段射頻前端芯片的性能要求；以 GaAs等工藝為代表的化合物半導(dǎo)體材料，憑借其在功率、線性度等性能指標(biāo)的優(yōu)異表現(xiàn)，成為中高頻段射頻前端芯片的主流選擇。

芯片設(shè)計(jì)企業(yè)需要與主流晶圓制造商及封測(cè)廠商保持緊密的合作關(guān)系。近年來(lái)，下游市場(chǎng)需求旺盛，導(dǎo)致全球集成電路產(chǎn)能供給相對(duì)不足，芯片設(shè)計(jì)企業(yè)與上游供應(yīng)鏈穩(wěn)固的合作關(guān)系更為重要。