目前蘋果多款芯片組采用臺積3納米制程，而根據最新報導，iPhone 17芯片將不會采用2納米制程，即2025年推出的A19 Pro芯片將維持3納米技術。

據報導，蘋果A19 Pro芯片考慮使用臺積電N3P制程，有望搭載于iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max。臺積電正致力于在2024年底前將3納米晶圓產能提高至10萬片，全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢指出，臺積電也希望擴大2納米制程前景，因此新竹寶山2納米廠正按預期穩步推進，高雄廠也在加速發展，預期年底首次投產，傳兩間工廠初始產能落在3萬~3.5萬片。

到了2027年，兩間工廠合并產能將達10萬片晶圓，而臺積電2納米芯片首批客戶可能是蘋果。

臺積電早在2023年6月就開始試生產2納米制程，但蘋果A18 Pro可能采用N3E，搭載于iPhone 16 Pro和iPhone 16 Pro Max；至于明年問世的iPhone 17，其A19 Pro芯片可能采臺積電N3P技術。

目前預期蘋果2026年推出iPhone 18系列時，有望搭載首款2nm芯片。其他2納米客戶除蘋果外，英特爾也表示有興趣，預期AMD、Nvidia和聯發科也會跟進。


2nm工藝按計劃2025年量產

臺積電之前透露，其 1.4nm 級工藝制程研發已經全面展開。同時，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開始量產。

根據 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節點正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺積電尚未透露 A14 的量產時間和具體參數，但考慮到 N2 節點計劃于 2025 年底量產，N2P 節點則定于 2026 年底量產，因此 A14 節點預計將在 2027-2028 年問世。

在技術方面，A14 節點不太可能采用垂直堆疊互補場效應晶體管（CFET）技術，不過臺積電仍在探索這項技術。因此，A14 可能將像 N2 節點一樣，依賴于臺積電第二代或第三代環繞柵極場效應晶體管（GAAFET）技術。

N2 和 A14 等節點將需要系統級協同優化，才能真正發揮作用，并實現新的性能、功耗和功能水平。

尚不清楚臺積電是否計劃在 2027-2028 年時間段為 A14 制程采用 High-NA EUV 光刻技術，考慮到屆時英特爾（以及可能其他芯片制造商）將采用和完善下一代數值孔徑為 0.55 的 EUV 光刻機，臺積電使用這些機器應該相當容易。然而，由于高數值孔徑 EUV 光刻技術將掩膜尺寸減半，其使用將給芯片設計人員和制造商帶來一些額外的挑戰。

當然，從現在到 2027-2028 年，很多事情都可能會發生變化，因此不能做出太多的假設。但可以肯定的是，臺積電的科學家和開發人員正在致力于下一代生產節點的研發。


三星和英特爾不甘示弱

目前，最先進的量產技術是三星電子和臺積電生產的3nm工藝。三星于22年6月開始量產3nm工藝，臺積電則于23年年初開始量產。然而，據報道，由于對初始良品率的擔憂和半導體市場的低迷，3nm工藝的市場需求并未達到預期，客戶對這些高成本先進工藝的需求減少。除了臺積電獨家生產蘋果PC用M3芯片和移動應用處理器A17之外，全球主要的無晶圓廠公司仍主要使用4nm工藝，而非3nm。

與此同時，臺積電的主導地位只增不減。根據市場研究公司TrendForce的數據，臺積電在全球代工市場的份額從2021年第三季度的53.1%增至2023年同期的57.9%。相比之下，三星代工廠的市場份額同期從17.1%降至12.4%。

盡管如此，英特爾和三星都更加注重在臺積電之前開發先進工藝，而不是立即擴大訂單。它們的戰略是搶占下一個市場，而不是在價格上與行業領導者競爭。

特別是英特爾，正在積極行動，重新進入代工業務。它計劃在明年上半年量產20A 2nm級產品，并在下半年開發1.8nm級產品18A。去年9月，英特爾已經推出了18A半導體晶圓的原型。與此相關，荷蘭半導體設備公司ASML近日在其官方社交媒體上宣布，將向英特爾交付全球首臺High-NA極紫外（EUV）設備，預計將成為2nm以下工藝的關鍵工具。去年年初，英特爾率先與ASML簽訂了該設備的合同，領先于三星電子和臺積電。

三星的目標是明年開始量產改進后的第二代3nm工藝，并在2025年上半年實現2nm工藝的量產。臺積電將2nm工藝的量產時間定為2025年下半年。