在經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇和數(shù)字經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型驅(qū)動(dòng)下，存儲芯片正成長為半導(dǎo)體行業(yè)最景氣的子賽道。

據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將達(dá)5272億美元，將成長19.7%；存儲芯片產(chǎn)值將成長31.7%，增幅將高居第一。WSTS預(yù)期，2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望進(jìn)一步達(dá)5734億美元，將再成長8.8%；存儲芯片產(chǎn)值將成長17.4%，增幅仍將高居第一。

供需緊張態(tài)勢延續(xù)至Q3 行業(yè)邁入成長周期

去年以來，5G、消費(fèi)電子、AI、物聯(lián)網(wǎng)等市場快速發(fā)展，疊加疫情下居家辦公、遠(yuǎn)距學(xué)習(xí)模式，存儲需求大幅拉高，推動(dòng)存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長。

DRAM和NAND Flash是增長最快的兩個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。DRAM存儲芯片下游以移動(dòng)端為主，包括手機(jī)和筆記本電腦，占比超過60%。而NAND Flash通常被用來保存大量數(shù)據(jù)。其下游應(yīng)用領(lǐng)域是有大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲需求的企業(yè)、數(shù)據(jù)中心。

由于下游需求向好疊加晶圓產(chǎn)能緊張，這兩種產(chǎn)品均處于漲價(jià)景氣周期中。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)計(jì)，DRAM價(jià)格今年一季度的現(xiàn)貨價(jià)格已同比增幅在18~23%之間，NAND Flash漲幅則在5~10%。

供需緊張背景下，多家機(jī)構(gòu)預(yù)測漲價(jià)仍將持續(xù)。

TrendForce近日發(fā)布報(bào)告稱，受各終端買方于今年上半年積極備庫存的帶動(dòng)，使得存儲器原廠庫存處于低水位，DRAM原廠平均庫存僅3~4周；NAND Flash供應(yīng)商平均庫存則為4~5周。

面對第三季服務(wù)器客戶欲加強(qiáng)采購力道，原廠針對各類存儲器產(chǎn)品報(bào)價(jià)并無降價(jià)求售的必要性，故TrendForce預(yù)估，供需緊張的態(tài)勢將延續(xù)至三季度，Q3整體DRAM價(jià)格將續(xù)漲約3~8%；NAND Flash則受enterprise SSD及wafer需求攀升，整體價(jià)格季漲幅將由原先的3~8%，上調(diào)至5~10%。

長期來看，市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)計(jì)，全球存儲芯片市場將持續(xù)4年高景氣度，2020-2025年全球存儲芯片市場年復(fù)合增長率將達(dá)10.6%。存儲芯片銷售額預(yù)計(jì)將在2022年突破1800億美元，超過2018年的歷史最高紀(jì)錄，并將在2023年達(dá)到下一個(gè)周期峰值。

存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化比例有望加速提升

據(jù)川財(cái)證券研報(bào)，我國存儲芯片市場規(guī)模已從2015年的45.2億美元增長至2020年的183.6億美元，預(yù)計(jì)2024年將突破500億美元。

然而，我國的存儲器領(lǐng)域里國內(nèi)企業(yè)參與度很低，作為全球存儲芯片最大的市場，我國國產(chǎn)化率卻不足5%。在半導(dǎo)體存儲器制造領(lǐng)域，僅有部分IC晶圓代工、封測廠商提供少量的服務(wù)。

目前，我國出臺了一系列產(chǎn)業(yè)政策，如《“十三五“國家戰(zhàn)略性新興發(fā)展產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》、《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》、《中國制造2025》等，鼓勵(lì)、支持整個(gè)半導(dǎo)體存儲行業(yè)的發(fā)展。國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金也曾多次強(qiáng)調(diào)支持集成電路產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)的發(fā)展，將更大力度地支持集成電路制造業(yè)和特色集成電路發(fā)展，重點(diǎn)推進(jìn)存儲行業(yè)內(nèi)的項(xiàng)目。

該機(jī)構(gòu)分析師孫燦表示，在國家層面政策利推動(dòng)下，存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化比例提升將持續(xù)加速。

具體來看，DRAM芯片制造端，方正證券分析師陳杭4月3日發(fā)布研報(bào)稱，短期內(nèi)我國DRAM自主替代最大的希望就是合肥長鑫；兆易創(chuàng)新為合肥長鑫的關(guān)聯(lián)方，正從市場規(guī)模較小的NOR Flash向DRAM拓展。其首款自有品牌4GbDDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列現(xiàn)已量產(chǎn)，這標(biāo)志著兆易創(chuàng)新正式入局DRAM這一主流存儲市場；紫光國微是國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，主業(yè)涵蓋集成電路業(yè)務(wù)和晶體業(yè)務(wù)，成熟的DDR3模組系列產(chǎn)品讓公司成為國產(chǎn)DRAM存儲器主要供應(yīng)商。

NAND Flash方面，長江存儲已宣布128層NAND Flash產(chǎn)品已經(jīng)研發(fā)成功；北京君正的存儲芯片產(chǎn)品涵蓋SRAM、DRAM、NOR Flash和NAND Flash等。

封裝環(huán)節(jié)，深科技封測產(chǎn)品主要包括DDR3、DDR4，LPDDR3、LPDDR4、eMCP、USB、eMMC、ePOP、SSD、3DNAND以及Fingerprint指紋芯片等，并具備wBGA、FBGA、LGA等封測技術(shù)。