在全球人工智能（AI）競賽持續升溫的背景下，存儲巨頭三星電子做出最終決策，計劃在2026年底前將HBM月產能大幅提升約50%，核心目標是為英偉達下一代產品“HBM4”的供應鋪平道路，并爭奪其核心客戶訂單。

據報道，三星電子計劃到2026年末，將HBM月產能提升至25萬片晶圓（以12英寸晶圓計算），相較于目前約每月17萬片的產能，增幅高達約47%。為實現這一目標，三星的投資將通過兩條路徑推進：一是將現有的DRAM生產線轉換為HBM產線；二是在平澤P4工廠擴建新的專用生產線。半導體設備行業預計，相關核心設備采購與安裝工作最早可能于2026年1月啟動。

對于三星自身的業務構成而言，HBM的戰略地位日益凸顯。但對于擴產計劃，三星官方保持謹慎態度，一位三星電子發言人表示，公司“正在評估各種方案以應對快速增長的HBM需求”，但拒絕對具體計劃予以確認。

此次擴產背后，是三星在HBM市場面臨的緊迫局面與重大機遇。2025年10月，英偉達正式確認將在其產品中采用三星的HBM4，該內存是計劃于2026年下半年發布的英偉達下一代AI芯片“Rubin”的標配。有消息稱，三星的HBM4在Rubin的測試芯片中表現優異，獲得了積極評價。與此同時，全球AI投資熱潮持續推高對HBM的巨量需求，市場前景極為明朗。在此背景下，三星選擇提前且激進地擴張產能，旨在確保未來HBM4的供應能力，從而在爭奪英偉達訂單的競爭中占據主動。有行業關系人士明確指出，三星電子的此次HBM投資集中在HBM4上。