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機(jī)構(gòu):Q1 DRAM芯片價(jià)格將季增90%~95%,NAND Flash季增55%~60%

2026-02-03 來源:愛集微
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關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ) DRAM NAND

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,由于人工智能(AI)的蓬勃發(fā)展,該機(jī)構(gòu)提高了芯片價(jià)格預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)2026年Q1,傳統(tǒng)DRAM合約價(jià)格將比2025年起上漲90%~95%。此前預(yù)計(jì)Q1 DRAM的價(jià)格將增長55%~60%。

TrendForce表示:“2026年Q1 AI和數(shù)據(jù)中心的持續(xù)需求進(jìn)一步加劇了全球內(nèi)存供需失衡,從而提高了供應(yīng)商的定價(jià)權(quán)?!盢AND Flash合約價(jià)則從季增33%~38%上調(diào)至55%~60%,并且不排除仍有進(jìn)一步上修空間。

TrendForce指出,由于2025年Q4 PC整機(jī)出貨優(yōu)于預(yù)期,目前PC DRAM仍普遍缺貨,預(yù)計(jì)2026年Q1 PC DRAM價(jià)格將季增100%以上,漲幅達(dá)歷史新高。

觀察Server DRAM市場(chǎng),北美、中國各大云端服務(wù)廠商(CSP)、Server OEM至1月為止,仍持續(xù)和存儲(chǔ)器原廠洽談年度DRAM LTA (long-term agreement)供應(yīng)量。由于買方積極競(jìng)逐原廠供給,將帶動(dòng)Q1 Server DRAM價(jià)格上漲約90%,幅度創(chuàng)歷年之最。

對(duì)于Mobile DRAM市場(chǎng),因整體DRAM市場(chǎng)供需差距不斷擴(kuò)大,各終端應(yīng)用競(jìng)相提高報(bào)價(jià)以爭取配額,預(yù)計(jì)將導(dǎo)致Q1 LPDDR4X、LPDDR5X合約價(jià)皆大幅上調(diào)至季增90%左右,幅度同樣是歷來最高。其中,原廠對(duì)美系手機(jī)客戶的1Q26合約價(jià)格已自去年底起陸續(xù)完成議定;中系手機(jī)客戶則因4Q25合約價(jià)甫敲定,再加上農(nóng)歷春節(jié)長假影響,預(yù)估最快需至2月底才會(huì)有實(shí)質(zhì)進(jìn)展。

在NAND Flash市場(chǎng)部分,盡管Q1訂單量大幅超越供應(yīng)商的生產(chǎn)負(fù)荷,然而,原廠更看好DRAM市場(chǎng)獲利前景,積極將部分產(chǎn)線轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM,從而進(jìn)一步壓縮NAND Flash新增產(chǎn)能。目前僅能通過制程升級(jí)勉強(qiáng)提高單位產(chǎn)出,短期內(nèi)產(chǎn)能瓶頸將難以緩解。

隨著推理AI應(yīng)用場(chǎng)景擴(kuò)大,市場(chǎng)對(duì)高效能儲(chǔ)存設(shè)備的需求遠(yuǎn)高于預(yù)期,推升2026年第一季Enterprise SSD價(jià)格將季增53%~58%,創(chuàng)下單季漲幅最高紀(jì)錄。