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SC4D40120H-JSM 碳化硅肖特基二極管

2026-02-05 來源: 作者:深圳市杰盛微半導體有限公司
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關鍵詞: 碳化硅肖特基二極管 SC4D40120H-JSM C4D40120H 杰盛微半導體

在新能源革命與工業智能化的雙重驅動下,碳化硅(SiC)功率器件憑借耐高溫、低損耗、高頻化的核心優勢,成為電力電子領域升級換代的 “核心引擎”。深耕碳化硅賽道的杰盛微半導體,重磅推出SC4D40120H-JSM 碳化硅肖特基二極管,精準對標行業經典型號 C4D40120H,在參數一致性、性能穩定性、應用適配性上實現全面匹配,更以本土化服務與高性價比優勢,為全球客戶提供 “即換即用” 的優質替代方案,賦能伺服驅動、新能源逆變等高端場景技術升級。

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一、核心特性復刻升級,延續經典優勢

作為對標 C4D40120H 的誠意之作,SC4D40120H-JSM 完整繼承了經典型號的核心技術亮點,同時通過工藝優化強化了可靠性與適配性,讓每一項特性都能精準匹配實際應用需求。

1.零恢復電流 + 無開關損耗,效率再突破

SC4D40120H-JSM 采用純碳化硅肖特基結構,實現零正向 / 反向恢復電流特性 —— 這意味著器件在開關過程中無電荷存儲與釋放的能量損耗,徹底解決了傳統硅基二極管因恢復電流導致的效率瓶頸。搭配 “溫度無關的開關行為” 設計,無論在 - 55℃低溫啟動還是 175℃高溫運行,開關響應速度始終穩定,無開關損耗的優勢讓系統效率提升 3%-8%,完美契合光伏逆變器、高頻 DC/DC 轉換器等對能效要求嚴苛的場景。

2. 高耐壓 + 強浪涌,極端工況穩得住

器件額定峰值重復反向電壓達 1200V,直流阻斷電壓同步滿足 1200V 標準,能輕松應對中高壓電力電子系統的耐壓需求,與 C4D40120H 的電壓等級完全一致。在電流承載能力上,25℃殼溫下連續正向電流可達 92A,即使殼溫升至 140℃仍能穩定輸出 40A 電流;單次峰值正向浪涌電流高達 230A(10ms 半正弦脈沖),重復浪涌電流在 25℃時達 220A,面對電路啟動、負載突變等突發情況時,能有效抵御電流沖擊,避免器件損壞,可靠性遠超行業平均水平。

3. 正溫度系數 + 100% 雪崩測試,安全無死角

SC4D40120H-JSM 的正向電壓(VF)具備正溫度系數特性,這一設計讓多器件并聯使用更安全—— 當單個器件溫度升高時,正向電壓會同步增大,自動分流電流,避免電流集中導致的熱失控問題,無需額外設計復雜的均流電路,降低系統設計成本。同時,器件經過 100% 雪崩測試,單次脈沖雪崩能量達 169mJ,在極端電壓應力下仍能保持穩定,為設備運行筑起雙重安全屏障。

二、全場景深度適配,賦能多行業升級

憑借與 C4D40120H 一致的高性能與高可靠性,SC4D40120H-JSM 在多個高端電力電子場景中展現出強大的適配能力,成為推動行業技術升級的核心器件。

1. 伺服驅動器:精準控制 + 高效節能

在工業伺服驅動器中,SC4D40120H-JSM 的高頻工作能力與低開關損耗特性,能有效提升驅動器的響應速度和控制精度,減少電機運行中的能量損耗;寬溫工作范圍(-55~175℃)適配工業環境的惡劣溫度條件,保障設備長時間連續穩定運行,助力智能制造裝備升級。

2. 光伏 / 風力逆變器:高效逆變 + 抗擾性強

新能源發電場景對器件的耐壓、效率、抗浪涌能力要求極高。SC4D40120H-JSM 的 1200V 高阻斷電壓、低導通損耗特性,能將太陽能、風能轉化為電能的效率提升 3%-5%;強浪涌電流承受能力可應對新能源發電中的電壓波動,延長逆變器使用壽命,為清潔能源并網提供穩定保障。

3. 電源轉換器:高頻小型化 + 高功率密度

AC/DC 與 DC/DC 轉換器是通信電源、工業電源、充電樁等設備的核心。SC4D40120H-JSM 的無開關損耗、高頻適配特性,能大幅降低轉換器功耗,縮小體積,提升功率密度 —— 例如在充電樁中,可助力實現更快的充電速度與更小的設備體積,優化用戶體驗。

4. 不間斷電源(UPS):快速切換 + 穩定供電

UPS 作為關鍵負載的 “電力保障”,對器件的可靠性與響應速度要求嚴苛。SC4D40120H-JSM 的快速開關響應、寬溫適應能力,能確保 UPS 在電網斷電時快速切換至備用電源,為服務器、醫療設備、工業控制系統等關鍵負載提供持續穩定供電,避免因供電中斷造成的重大損失。

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三、關鍵參數:硬核性能,數據說話

(1)最大額定值

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(2)電氣特性(典型值 / 最大值)

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(3)熱學特性

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四、關鍵參數精準匹配,無縫替換零成本

對于需要替代 C4D40120H 的客戶而言,參數一致性是降低切換成本的核心前提。SC4D40120H-JSM 在電氣、熱學、封裝等關鍵參數上與對標型號高度契合,確保替換過程無需改動 PCB 設計、散熱結構,實現 “即換即用”。

1. 電氣參數完美契合,性能無差異

在導通損耗核心指標 —— 正向電壓(VF)上,SC4D40120H-JSM 表現優異:40A 正向電流、25℃結溫下,VF 典型值僅 1.45V,最大值不超過 1.75V;即使在 175℃高溫下,VF 也僅 2.05V,與 C4D40120H 的參數范圍完全一致,確保導通損耗水平相當。

反向漏電流控制同樣出色:1200V 反向電壓、25℃結溫下,典型反向電流僅 6μA,最大值 150μA;175℃高溫下典型值也僅 99μA,漏電流水平與對標型號持平,有效減少靜態損耗。此外,總電容電荷(800V 時 211nC)、動態電容特性(1V/1MHz 時 2480pF,800V 時 139pF)等高頻參數均與 C4D40120H 匹配,確保器件在高頻工況下的響應速度與原有設計一致。

2. 熱學與封裝完全兼容,散熱無壓力

SC4D40120H-JSM 采用與 C4D40120H 相同的TO-247-2 封裝,封裝尺寸精準匹配 —— 引腳間距、外殼尺寸、安裝孔位等關鍵尺寸完全一致,確保能直接適配原有 PCB 板設計與散熱結構。在熱學性能上,器件的結到殼熱阻(Rth (j-c))典型值為 0.35℃/W,最大值不超過 0.41℃/W,與對標型號熱阻水平相當;25℃殼溫下總功耗達 366W,110℃時為 158W,散熱效率優異,能快速將熱量傳導至散熱系統,避免結溫過高影響器件壽命。

3. 環保與封裝規格適配,量產更便捷

SC4D40120H-JSM 符合 RoHS 環保標準,屬于綠色器件,契合全球環保政策趨勢。在供應規格上,器件采用管裝包裝,每管 450 個,與行業常規包裝規格一致,方便客戶存儲與批量生產;MSL 等級 1 的設計,降低了器件在生產過程中的受潮風險,提升生產良率,進一步降低客戶的量產成本。

五、杰盛微品質護航,本土化服務更省心

杰盛微半導體作為專注于碳化硅功率器件研發、生產與銷售的高新技術企業,始終以 “技術創新、品質至上” 為核心理念,為全球客戶提供高性能、高可靠性的半導體解決方案。SC4D40120H-JSM 從芯片設計、晶圓制造到封裝測試,每一道工序都經過嚴格的質量管控,確保批量生產的產品性能一致性與穩定性。

相較于進口對標型號,SC4D40120H-JSM 具備三大核心服務優勢:一是供貨周期更靈活,本土化生產與供應鏈布局,能快速響應客戶訂單需求,避免國際物流延誤;二是技術支持更及時,專業的應用工程師團隊可提供定制化技術解決方案,協助客戶快速完成產品調試與量產;三是性價比更高,在性能相當的前提下,為客戶降低采購成本,提升產品市場競爭力。

未來,杰盛微將持續深耕碳化硅功率器件領域,聚焦新能源、工業控制、汽車電子等核心場景,推出更多高性能、高可靠性的產品,為全球電力電子行業的技術升級與綠色發展貢獻力量。

溫馨提示:

1、器件使用需嚴格遵循最大額定參數要求,超出極限條件可能導致器件損壞;

2、產品未設計用于軍事 / 航空、汽車或醫療設備,此類場景使用需提前與廠家確認;

3、文檔信息可能因產品升級有所變更,實際應用請以交付規格書為準。

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