當前，存儲芯片的供需矛盾已演變為制約行業發展的核心瓶頸。

3月13日消息，據韓國《首爾經濟日報》最新報道，英偉達已正式攜手三星電子，共同組建聯合研發團隊，全力加速“鐵電NAND”（Ferroelectric NAND）的商業化進程。

當前，全球存儲市場正經歷前所未有的震蕩。市場研究機構Omdia最新數據顯示，全球NAND供應量在2022年觸及2138.7萬片晶圓的峰值后一路下滑，預計2026年將跌至1540.8萬片，即便到2028年也難以恢復至1761萬片水平，遠無法匹配AI爆發帶來的指數級需求。供需失衡直接導致價格飆升，僅今年第一季度，NAND閃存價格環比漲幅就高達90%。

更為緊迫的是，英偉達下一代AI加速器“Vera Rubin”計劃引入名為“推理上下文內存存儲”（ICMS）的新型架構，據估算，僅此一項技術對NAND的需求就將占據全球總產量的9.3%。若無法解決供應問題，英偉達的算力交付將面臨中斷風險。與此同時，AI數據中心的“電力危機”同樣迫在眉睫。國際能源署預測，全球AI耗電量將從2024年的450太瓦時激增至2030年的950太瓦時。

在此背景下，鐵電NAND被視為能夠同時破解“容量短缺”與“功耗爆炸”兩大難題的重要技術之一。與傳統基于硅材料的NAND不同，鐵電NAND利用鐵電材料的獨特物理特性——無需施加外部高電壓即可保持正負極化狀態。這意味著，用鐵電材料替代硅，不僅能將工作電壓大幅降低，從而最多減少96%的功耗，還能因低電壓特性實現更高密度的堆疊。

目前，三星電子的NAND堆疊層數約為200至300層，而鐵電技術的成熟有望將這一數字推升至1000層以上。這種量級的密度提升，將徹底改變存儲芯片的物理形態，為AI大模型提供近乎無限的本地存儲空間，同時極大緩解數據中心的散熱與供電壓力。

為了攻克鐵電材料復雜的物理特性并找到最優器件結構，英偉達與三星的合作不僅限于硬件制造，更引入了強大的AI輔助研發能力。雙方聯合開發了一套專用AI算法，能夠將材料分析與結構模擬的速度較傳統方法提升一萬倍。這種“用AI設計AI硬件”的模式，極大地縮短了從實驗室到量產的周期。

在專利布局上，過去12年間，三星在鐵電器件領域的專利申請量高達255項，占比27.8%，超越英特爾、SK海力士及臺積電等巨頭，位居全球第一。去年年底，三星已成功展示“用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管”，此次與英偉達的深度綁定，旨在加速該技術的商業化落地。

英偉達此次“下場”造芯，是其構建全棧AI生態的關鍵一步。此前，英偉達已通過投資硅光子學企業Lumentum Holdings、建立“英偉達加速量子研究中心”（NVAQC）等舉措，不斷拓寬技術邊界。如今聯手三星攻堅鐵電NAND，更是其確保未來十年算力霸權的戰略底牌。