618大促已經(jīng)結(jié)束，讓業(yè)界高興的是國(guó)產(chǎn)芯片獲得了國(guó)內(nèi)消費(fèi)者的認(rèn)可，而且這是消費(fèi)者用真金白銀表達(dá)了對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片的喜愛(ài)，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存條都取得了熱銷(xiāo)榜第一名。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片紛紛以國(guó)產(chǎn)芯片的理念向消費(fèi)者證明了國(guó)產(chǎn)芯片的巨大突破，NAND flash存儲(chǔ)芯片率先量產(chǎn)全球最先進(jìn)的232層技術(shù)產(chǎn)品，DRAM實(shí)現(xiàn)了接近10納米工藝的技術(shù)水平，達(dá)到了全球領(lǐng)先水平。

在技術(shù)上的巨大突破之外，則是國(guó)產(chǎn)芯片以實(shí)惠的價(jià)格爭(zhēng)取消費(fèi)者的支持，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格大舉下跌，4TB已跌穿1000元，對(duì)比起數(shù)年前256GB就超過(guò)千元，可謂白菜價(jià)，讓國(guó)內(nèi)消費(fèi)者享受到了技術(shù)突破帶來(lái)的實(shí)惠。

DRAM內(nèi)存的價(jià)格也在猛烈下跌，光威32GB內(nèi)存條價(jià)格只要349元，對(duì)比起數(shù)年前這樣的內(nèi)存條價(jià)格可是高達(dá)2000多元。在光威的猛烈攻勢(shì)下，曾經(jīng)的內(nèi)存條王者金士頓跌下了神壇，昂貴的價(jià)格讓這些外資品牌內(nèi)存條被消費(fèi)者拋棄。

消費(fèi)市場(chǎng)是一個(gè)最為公開(kāi)的市場(chǎng)，消費(fèi)者選擇哪種產(chǎn)品，往往會(huì)從技術(shù)、價(jià)格等多方面因素考慮之后選擇產(chǎn)品，而國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片贏得了消費(fèi)者的熱愛(ài)，就證明國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在技術(shù)上確實(shí)達(dá)到了世界主流乃至先進(jìn)水平，而在價(jià)格方面也非常討喜。

打破三星制霸權(quán)，國(guó)產(chǎn)技術(shù)彎道超車(chē)

三星制霸全球有一個(gè)知名“殺手锏”——“逆周期調(diào)節(jié)大法”：即價(jià)格下跌增產(chǎn)，市場(chǎng)萎縮降價(jià)，加劇行業(yè)虧損，迫使競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手破產(chǎn)。

擊倒日本最后一家存儲(chǔ)芯片大廠爾必達(dá)后，如今三星、海力士、美國(guó)美光三家企業(yè)壟斷全球85%以上市場(chǎng)份額。市占率高的廠商掌握著定價(jià)權(quán)，他們能通過(guò)增產(chǎn)、減產(chǎn)左右存儲(chǔ)芯片的價(jià)格，每次三星放出工廠著火影響產(chǎn)量的消息，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格就會(huì)大幅飆升。

中國(guó)廠商努力6年，終于在2022年把存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能提了上來(lái)，三大廠商的定價(jià)權(quán)被打破。中國(guó)制造將芯片迅速打至白菜價(jià)，三星承受不住業(yè)績(jī)虧損，逆周期擴(kuò)張策略就此暫停。

中國(guó)廠商之所以能擁有和巨頭叫板的底氣，得益于技術(shù)的突破。

在芯片領(lǐng)域，國(guó)外巨頭依靠先進(jìn)的制程工藝每隔1-2年便會(huì)更新一代產(chǎn)品，產(chǎn)品性能隨之提升。2020年美國(guó)迫使荷蘭政府禁止向我國(guó)出口最先進(jìn)的光刻機(jī)后，國(guó)內(nèi)短期無(wú)法復(fù)制該路徑。

但存儲(chǔ)芯片的技術(shù)迭代特點(diǎn)，給了中國(guó)彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)。存儲(chǔ)芯片在突破20nm制程工藝后，可靠性會(huì)斷崖式下跌，所以通過(guò)先進(jìn)制程工藝來(lái)提升性能這條路是走不通了。

不能靠制程工藝從平面上縮小晶體管擴(kuò)容，廠家便換了個(gè)方法：在垂直方向上疊加，像搭積木一樣堆疊起來(lái)，這種方法也被稱(chēng)為3D堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)越高，存儲(chǔ)密度越高，性能越強(qiáng)。

所以即使買(mǎi)不到最先進(jìn)的光刻機(jī)，也能通過(guò)3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)性能的追趕。

存儲(chǔ)芯片中，這套技術(shù)應(yīng)用最廣泛的是閃存，2022年長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)用獨(dú)家的3D堆疊技術(shù)Xtacking，先于三星、美光量產(chǎn)了最先進(jìn)的232層閃存。與行業(yè)普遍將讀寫(xiě)單元和存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)在一顆晶圓上不同，Xtacking技術(shù)將兩者分別設(shè)計(jì)在兩顆獨(dú)立晶圓上再拼起來(lái)，這樣做可以讓兩者同時(shí)設(shè)計(jì)流片，大大縮短研發(fā)生產(chǎn)周期，這才實(shí)現(xiàn)了技術(shù)反超。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)嶄露頭角

雖然國(guó)際存儲(chǔ)芯片巨頭具有先發(fā)優(yōu)勢(shì)，但近年來(lái)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片制造商也取得了不斷的突破，并逐步縮小與國(guó)外大廠的差距。一些龍頭企業(yè)如長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、北京君正、兆易創(chuàng)新、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等嶄露頭角。


1、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)：國(guó)內(nèi)DRAM頭部企業(yè)

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成立于2016年，是國(guó)DRAM領(lǐng)域頭部企業(yè)，同時(shí)也是中國(guó)大陸首家DRAM IDM廠商，集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售于一體。據(jù)悉，今年以來(lái)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃在科創(chuàng)板IPO，估值不低于1000億元人民幣。目前公司還在正在挑選承銷(xiāo)商，IPO融資規(guī)模尚未最終確定。

2018年，長(zhǎng)鑫成功研發(fā)出中國(guó)首個(gè)國(guó)產(chǎn)8Gb DDR4內(nèi)存。2019年長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)19nm的DDR4、LPDDR4存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)，成為全球第四家掌握20nm以下的DRAM生產(chǎn)制造商。2020年長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)同美國(guó)一家半導(dǎo)體企業(yè)簽訂了協(xié)議，拿下了海量專(zhuān)利授權(quán)。2021年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采用主流內(nèi)存芯片工藝為19nm，并于2022年完成了17nm DDR5內(nèi)存的試產(chǎn)。如今，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已成為中國(guó)大陸規(guī)模最大且唯一能夠制造DDR4/LPDDR4存儲(chǔ)芯片的廠商。


2、北京君正：全球車(chē)用 DRAM 龍頭

北京君正成立于2005年，2011年在深圳創(chuàng)業(yè)板上市。專(zhuān)注于集成電路設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，其主要領(lǐng)域包括處理器芯片和平臺(tái)式解決方案的研發(fā)。作為少數(shù)幾家成功市場(chǎng)化嵌入式CPU核心技術(shù)的本土企業(yè)之一，君正在集成電路領(lǐng)域掌握著重要的地位。

尤其是車(chē)用DRAM芯片領(lǐng)域。2020年，君正完成了對(duì)美國(guó)ISSI及其下屬子品牌Lumissil的收購(gòu)。ISSI致力于為汽車(chē)、工業(yè)和醫(yī)療等領(lǐng)域提供高品質(zhì)、高可靠性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，包括SRAM、DRAM、Nor Flash、2D NAND Flash和eMMC等。ISSI的客戶(hù)遍布全球。

君正整合了自身積累了十幾年的技術(shù)，以及ISSI三十余年的存儲(chǔ)、模擬和互聯(lián)技術(shù)，形成了三大品牌：Ingenic（微處理器和智能視頻芯片）、ISSI（存儲(chǔ)芯片）和Lumissil（模擬與互聯(lián)芯片）。使君正一躍成為車(chē)載存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)軍廠商，其車(chē)用存儲(chǔ)份額達(dá)到15%，僅次于美光，在全球市場(chǎng)上具備了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。


3、兆易創(chuàng)新：全球第一Fabless Flash供應(yīng)商

兆易創(chuàng)新成立于2005年4月，2016年在上海交易所成功上市。其核心產(chǎn)品線包括存儲(chǔ)器（Flash和利基型DRAM）、32位通用型MCU、智能人機(jī)交互傳感器、模擬產(chǎn)品及整體解決方案。發(fā)展至今，兆易創(chuàng)新已成為全球排名第一的Fabless無(wú)晶圓廠Flash供應(yīng)商。在NOR Flash領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新市場(chǎng)占有率全球排名第三，中國(guó)市場(chǎng)位居第一，累計(jì)出貨量近212億顆。

2013年，兆易創(chuàng)新推出了業(yè)界第一顆SPI NAND Flash，并在多年的發(fā)展中實(shí)現(xiàn)了對(duì)消費(fèi)電子、工業(yè)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域的全品類(lèi)產(chǎn)品覆蓋。此外，兆易創(chuàng)新也是率先研發(fā)并成功推出SPI NOR Flash的公司之一。作為全球頂尖的NOR Flash供應(yīng)商，兆易創(chuàng)新始終保持著技術(shù)和市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。有著豐富的產(chǎn)品線，涵蓋了7款溫度規(guī)格、16種產(chǎn)品容量、27大產(chǎn)品系列以及29種封裝方式，能夠滿(mǎn)足不同市場(chǎng)應(yīng)用對(duì)高性能、低功耗、高可靠性、小封裝等需求。


4、長(zhǎng)江存儲(chǔ)：全球首個(gè)量產(chǎn)超200層3D NAND廠商

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。3D NAND是一種創(chuàng)新的閃存技術(shù)，通過(guò)將存儲(chǔ)單元垂直堆疊起來(lái)，解決了傳統(tǒng)2D NAND閃存的限制。相比于平面結(jié)構(gòu)的2D NAND，3D NAND具有更高的存儲(chǔ)密度和容量，同時(shí)還改善了性能和耐用性。這使得它成為現(xiàn)代電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用的存儲(chǔ)解決方案。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND技術(shù)發(fā)展路線上，僅用了短短3年時(shí)間就實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的突破，直接跳過(guò)了96層堆棧閃存的研發(fā)。其自主創(chuàng)新的晶棧Xtacking架構(gòu)技術(shù)為3D NAND帶來(lái)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的存儲(chǔ)密度，提高了研發(fā)效率并縮短了生產(chǎn)周期。2022年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了基于晶棧3.0架構(gòu)的第四代3D TLC NAND閃存芯片，命名為X3-9070，層數(shù)高達(dá)232層。這使得長(zhǎng)江存儲(chǔ)成為全球首個(gè)量產(chǎn)超過(guò)200層的3D NAND芯片制造商。盡管最初計(jì)劃生產(chǎn)232層閃存的是美光科技、三星和東芝等國(guó)際巨頭，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍成功反壓。

今年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲得了大基金二期的增資，其注冊(cè)資本從562.7億元人民幣增加至約1052.7億元，新增了近500億元的資金。長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期項(xiàng)目也已啟動(dòng)，規(guī)劃的產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬(wàn)片，進(jìn)一步縮小了與國(guó)際存儲(chǔ)巨頭之間的差距。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint預(yù)測(cè)，到2023年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望在全球存儲(chǔ)市場(chǎng)占據(jù)約6%的份額。

全球存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)

自2021年以來(lái)，受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲軟等因素的影響，存儲(chǔ)芯片需求增長(zhǎng)有所放緩。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)顯示，2022年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)1500億美元，較2021年略有增長(zhǎng)。隨著海外大廠相繼減產(chǎn)以及市場(chǎng)需求逐步恢復(fù)，行業(yè)預(yù)計(jì)將迎來(lái)回暖。據(jù)預(yù)測(cè)，到2023年，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1658億美元。

2022年DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到790.61億美元，占據(jù)56.8%的市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模為601.26億美元，占據(jù)43.2%的市場(chǎng)份額。在存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，DRAM是最大的產(chǎn)品類(lèi)別。三星、SK海力士和美光是主要的DRAM供應(yīng)商。根據(jù)2021年的數(shù)據(jù)，三星占據(jù)了市場(chǎng)份額的43%，SK海力士占據(jù)了28%，美光占據(jù)了23%。在NAND Flash領(lǐng)域，市場(chǎng)集中度較高。2021年，前六大NAND Flash供應(yīng)商合計(jì)占據(jù)了超過(guò)95%的市場(chǎng)份額。三星、鎧俠和西部數(shù)據(jù)是其中最主要的供應(yīng)商，分別占據(jù)了市場(chǎng)份額的34%、19%和14%。

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，隨著我國(guó)在電子制造領(lǐng)域水平的提升，國(guó)內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的需求不斷增長(zhǎng)。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)到2023年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到6492億元。然而，目前國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片自給率僅為15.70%，存在較大的提升空間。從2016年到2021年，我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模從1514億元增長(zhǎng)至3383億元，平均年復(fù)合增長(zhǎng)率約為20.57%。