隨著美國對中國半導體行業制裁的步步收緊，越來越多的實體被加入“黑名單”，包括在閃存存儲領域攪動了整個行業的長江存儲。

長江存儲董事長陳南翔在最新的一次演講中指出，過去50年半導體產業蓬勃發展，全球化合作功不可沒，原本預計2030年能達到1萬億美元規模，現在看很難說了。

陳南翔個人非常贊同臺積電創始人張忠謀“全球化已死”的說法，但也不反對“再全球化”的觀點，并提出，企業在進行中長期發展規劃時，是否具備足夠的系統性、一致性、持續性，是衡量“在全球化”是否能達成的重要指標。

陳南翔指出，全球化市場對促進產業發展很重要，比如DRAM內存、NAND閃存、RISC架構、無線通信技術等等，這些發明和創新不屬于任何一個企業或國家，而是企業或國家對全球產業鏈價值的貢獻。

目前，全球化供應鏈的直接參與者有25個國家，間接參與的有23個國家，相當接近50個國家參與全球化體系，形成“我中有你，你中有我”。

在演講的最后，他還呼吁：“請建設誠信和公平原則。假設長江存儲依法合規買的設備拿不到或是無法使用，可以設一個時間內，把設備在新的條件下回購，這樣才公平。”

還有消息稱，ASML旗下所有的DUV光刻機，出口都要被經過認可才可以。

對于這樣的說法，也是引起了熱議，不過ASML給出了回應。

ASML表示，出口管制條例只涉及部分最新DUV型號，包括TWINSCAN NXT：2000i及后續推出的浸潤式光刻系統。EUV光刻機在此前已經受到限制，其他系統的發運未受管控。

此外，ASML還表示，上述規定是在9月1日才生效，而他們已經提交了許可申請。

所以，在上述時間之前發貨的DUV光刻機或不受影響，此前業內猜測的TWINSCAN NXT:1980Di也不受影響。

稍早些時候，比利時微電子研究中心 (IMEC) 、阿斯麥 (ASML) 共同宣布，雙方將在開發先進高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻試驗線的下一階段加強合作。

按照ASML的說法，2025年開始，客戶就能從數值孔徑為0.33傳統EUV多重圖案化，切換到數值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低制程成本，提高產量。

Fouquet表示，EUV光源輸出功率一直穩步增加，ASML傳統型號EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號3600D增加到350W，現在研究層面已做到600W，800W指日可待。

到2030年，使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產量，并降低制程成本，需要更高數值孔徑的EUV曝光（NA=0.75）。

DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術形成圖案的每個晶體管成本都不斷變化，考量到新技術價格一定高于EUV每套3億美元，High-NA EUV價格將非常可觀，但仍取決于客戶要求和開發成本。

在這之前，光刻機大廠ASML高管對外表示，半導體業只有通力合作，建立完全自主的產業鏈，即使并非不可能也會極其困難。