據韓國媒體BusinessKorea報導，近日三星代工業務總裁崔世英講述三星晶圓代工藍圖，計劃2025年將GAA制程芯片擴展到3D封裝，因制程微縮對降低成本和縮小芯片面積有其限制，因此三星多樣化后段先進技術。

因兩種制程復雜性都很高，產業界尚未嘗試結合GAA制程與3D先進封裝。GAA制程取代傳統FinFET制程技術，可以最大化資料傳輸路徑面積，并減少芯片尺寸。而3D先進封裝是整合技術，使不同小芯片像單芯片發揮作用。在制程微縮逐步接近極限的現在，英特爾和臺積電等都在激烈競爭，以加速商業化。

三星于2020年首次推出7納米EUV制程的3D先進封裝X-Cube，并于2022年率先量產3納米GAA制程，且半導體業務部門另組先進封裝（AVP）團隊，加速下代半導體后段制程研發，三星預估將在2027年量產1.4納米先進制程。

為了強化晶圓代工業務，三星已經宣布發展本土系統半導體生態系統發展計劃，預計2024年擴展多項目晶圓(MPW)服務，目標是成為人工智能和高效能運算(HPC)關鍵推動者，采用4納米制程，2025年MPW服務總量成長超過10%，帶動韓國系統半導體產業發展。