近日，全球存儲大廠SK海力士公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品。SK海力士表示，與232層產品相比，單位容量提升了41%，延遲降低了13%，性能提升了12%，功耗降低了10%，并且生產效率也提升了59%，算下來成本降了至少50%。

而三星也表示，自己的300+層的4D NAND閃存，即將推出，而下一代產品將超過400層。

同樣的還有美光，也表示即將推出300+層的NAND閃存，很明顯這三大廠，時隔一年之后，要正式進入300層時代了。

對于NAND產品而言，不能一味的提升工藝，因為工藝達到15nm后，再提升的話，NAND閃存就不穩定。所以廠商們轉向立體結構，多層堆疊，NAND層數越多，意味著存儲密度越高，容量密度下的成本越低。

舉個簡單例子，大家就能夠懂了。以前128層的1TB NAND芯片，需要200塊，那么232層時，1TB的NAND芯片，只要100塊左右，如果變成321層的話，可能只要50塊了。

所以NAND芯片廠商們，想要提升技術、降低成本的辦法，不像邏輯芯片一樣，提升工藝，而是增加層數，采用立體結構來堆疊。

事實上，在232層這個檔次，長江存儲是全球第一家量產的。

去年下半年，長江存儲成為全球首個量產232層NAND閃存的廠商，然后才是美光、SK海力士、三星。這意味著國產存儲是真的支棱起來了。

但也正因為長江存儲太優秀了，讓美國害怕，所以美國在去年10月份，對長江存儲進行了制裁，長存128層及以上NAND Flash的供應鏈受到嚴重阻礙，更不要說232層了。

先進設備買不到，甚至已經買到的先進設備，后續維修、更換備件都不行，這嚴重影響到了長江存儲的產能，更重要的是影響到了技術發展。

而這也正是美國的目的，本來長江存儲技術全球領先，那么依托這個232層的技術，長江存儲可以迅速搶占市場，贏得最為寶貴的窗口時期。

但美國的制裁一下來，這個窗口時期就沒有了，然后美光、三星、SK海力士等追了上來，直到現在這三大廠商，在技術上還反超了，讓長存從領先變成了落后。

而一旦這些廠商300+層的NAND閃存推出，市場慢慢的就會又被這些廠商搶走。

可見，依賴別人技術的突破，真的還是有風險的，一旦別人進行制裁，技術發展路線可能就會被打斷，從而出現危機。

我們需要的，還是全產業鏈的突破，舉個例子，如果長江存儲的232層突破，是基于國產設備的突破，那美國的制裁將毫無意義。

所以，國產半導體加油吧，我們不僅僅需要的是技術突破，更需要全產業鏈都跟上來，沒有短板才行。