按照媒體的說法，蘋果的iPhone15將于9月13日晚上發(fā)布。

而這次的iPhone將搭載全球首款3nm的手機(jī)Soc芯片A17，而這也是臺(tái)積電首顆量產(chǎn)的3nm芯片，更是全球首顆量產(chǎn)的3nm手機(jī)芯片。而在蘋果A17之后，像高通、聯(lián)發(fā)科、三星等，也將推出3nm的手機(jī)芯片，意味著芯片工藝，正式進(jìn)入3nm時(shí)代。

而臺(tái)積電進(jìn)入了3nm，從另外一方面來看，也意味著中國大陸的芯片制造技術(shù)，相比于臺(tái)積電，又落后了一代，從之前的落后2代，變成了落后4代。

目前中國大陸最先進(jìn)的工藝是中芯的14nm工藝，而離3nm工藝，中間還有10nm、7nm、5nm這么三代，再加上3nm這么一代，一共是4代。如果按時(shí)間來算，臺(tái)積電于2015年就量產(chǎn)了16nm（等效于14nm工藝），而從16nm到3nm，臺(tái)積電花了8年時(shí)間，相當(dāng)于這4代，按照正常情況，至少需要8年時(shí)間。大家都清楚，現(xiàn)在可不是正常情況，美國可是在打壓中國芯片產(chǎn)業(yè)，全面禁止14nm及以下的設(shè)備銷售，所以中國大陸要進(jìn)入14nm以下工藝，時(shí)間未知……

事實(shí)上，當(dāng)初美國沒有打壓的時(shí)候，中國大陸離臺(tái)積電工藝，其實(shí)是不遠(yuǎn)的。

2015年臺(tái)積電量產(chǎn)16nm(14nm)，然后中芯國際在2019年量產(chǎn)14nm工藝，只相差4年。而2019年時(shí)，臺(tái)積電還在量產(chǎn)7nm工藝，意味著當(dāng)時(shí)中芯國際只落后臺(tái)積電2代。當(dāng)時(shí)中芯國際請(qǐng)到了梁孟松這個(gè)大神，梁孟松帶領(lǐng)中芯國際，迅速進(jìn)入了14nm，并對(duì)10nm、7nm展開了研究，前期研究工作都已經(jīng)準(zhǔn)備好了，只等EUV光刻機(jī)。誰知道這臺(tái)EUV光刻機(jī)沒有等到，反而等到了美國的禁令，不僅EUV光刻機(jī)買不到，連先進(jìn)一點(diǎn)的DUV光刻機(jī)（浸潤式光刻機(jī)）都買不到了。

然后中芯與臺(tái)積電的差距，也就從落后2代4年，變成了落后4代8年了。


國產(chǎn)先進(jìn)芯片三座大山

但對(duì)于中國芯片產(chǎn)業(yè)而言，可不是8年就能夠搞定，因?yàn)橹袊l(fā)展先進(jìn)芯片，還有3座大山要跨越。

第一座山是EDA，目前國內(nèi)的EDA產(chǎn)品，大多在14nm工藝上，少部分流程和環(huán)節(jié)達(dá)到了5nm，或3nm，而美國對(duì)先進(jìn)的EDA進(jìn)行了限制的，所以中國要實(shí)現(xiàn)3nm工藝，需要EDA也達(dá)到3nm才行。

第二座山是半導(dǎo)體設(shè)備，其中包括光刻機(jī)，但又不僅限光刻機(jī)，我們知道芯片制造需要幾百種設(shè)備，上千道工序，中間需要用到光刻機(jī)、刻機(jī)、離子注入等待設(shè)備，目前美國對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行限制，14nm及以來工藝的設(shè)備，是被禁售的，中國想要實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝，需要突破。

第三座山是半導(dǎo)體材料，包括光刻膠，但又不僅限于光刻膠，芯片制造中，需要幾十種材料，比如光刻膠、各種特殊氣體，以及很多的靶材等等。拿光刻膠來說，目前國產(chǎn)光刻機(jī)，最多才達(dá)到40nm檔次，至于EUV光刻膠，還遙遙無期，要想實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝，還要研發(fā)出EUV光刻膠這樣的材料才行。

可見，中國芯片產(chǎn)業(yè)要進(jìn)入先進(jìn)工藝，比如7nm、5nm、3nm等，需要補(bǔ)的課還太多，EDA、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料就是三座大山，需要一一跨越。


國產(chǎn)廠商各環(huán)節(jié)全面開花，覆蓋產(chǎn)品品類持續(xù)擴(kuò)張

2023年6月29日至7月1日，SEMICON China 2023在上海召開，此次展會(huì)，國產(chǎn)廠商各環(huán)節(jié)全面開花，覆蓋產(chǎn)品品類持續(xù)擴(kuò)張；日韓廠商積極參展，體現(xiàn)出政冷經(jīng)熱；美系廠商相對(duì)較少。我們整理了國內(nèi)設(shè)備及零部件公司的新產(chǎn)品進(jìn)展。

富創(chuàng)精密：公司在投資者調(diào)研紀(jì)要中提到，以金屬零部件為基礎(chǔ)的如噴淋頭、閥門、靜電卡盤、加熱器等高端功能零部件采購成本高、周期長，公司正在積極布局研發(fā)。

北方華創(chuàng)：公司正式發(fā)布應(yīng)用于晶邊刻蝕（Bevel Etch）工藝的12英寸等離子體刻蝕機(jī)Accura BE，實(shí)現(xiàn)對(duì)PR（光刻膠），OX（氧化物），SiN（氮化硅），Carbon（碳），Metal（金屬）等多類膜層材料的晶邊刻蝕工藝全覆蓋，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)晶邊干法刻蝕設(shè)備“零”的突破。

拓荊科技：公司在SEMICON展會(huì)展出其用于先進(jìn)封裝的新品混合鍵合設(shè)備，根據(jù)公司公告，公司積極進(jìn)軍高端半導(dǎo)體設(shè)備的前沿技術(shù)領(lǐng)域，研制了應(yīng)用于晶圓級(jí)三維集成領(lǐng)域的混合鍵合（Hybrid Bonding）設(shè)備產(chǎn)品系列，同時(shí)，該設(shè)備還能兼容熔融鍵合（Fusion Bonding）。

華海清科：公司在SEMICON展會(huì)展出參股公司芯崳半導(dǎo)體的離子注入機(jī)，包括低能量大束流離子注入機(jī)(0.2-80KeV)、高能量H離子注入機(jī) (0.3-2.0MeV)，此外還展出CMP系列設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備等裝備。

微導(dǎo)納米：公司在SEMICON展會(huì)上發(fā)布用于半導(dǎo)體行業(yè)的第一代iTronix 系列PECVD和LPCVD薄膜沉積設(shè)備，下游應(yīng)用覆蓋邏輯、存儲(chǔ)等領(lǐng)域。目前，微導(dǎo)納米iTronix系列CVD薄膜沉積設(shè)備已獲得客戶訂單，設(shè)備驗(yàn)證進(jìn)展順利。

芯源微：公司在SEMICON展會(huì)上發(fā)布新品KS-S300-TB臨時(shí)鍵合機(jī)，此前公司在6月8日在互動(dòng)平臺(tái)表示，近年來，公司加深與國內(nèi)Chiplet封裝廠商的合作關(guān)系，已成功實(shí)現(xiàn)各類設(shè)備的批量導(dǎo)入。公司新產(chǎn)品臨時(shí)鍵合機(jī)、解鍵合機(jī)產(chǎn)品進(jìn)展良好，截至2022年底，臨時(shí)鍵合機(jī)正在進(jìn)行客戶端驗(yàn)證。

盛美上海：公司在SEMICON展會(huì)上展出新品PECVD設(shè)備，可應(yīng)用于SiO2、SiNx、Cabon、NDC薄膜沉積工藝，未來可以拓展至單片PEALD設(shè)備；前道涂膠顯影設(shè)備，支持ArF工藝，未來可拓展至i-line，KrF等光刻工藝。

華峰測(cè)控：本次SEMICON展會(huì)，公司推出針對(duì)SoC測(cè)試的STS8600全新測(cè)試機(jī)平臺(tái)；展出STS8200 PIM SiC/IGBT大功率模塊測(cè)試系統(tǒng)，最大短路電流12000A；STS8300校準(zhǔn)機(jī)器人，可以自動(dòng)適配不同的模擬和數(shù)字資源校準(zhǔn)。

長川科技：公司在SEMICON展會(huì)展出其新品SoC數(shù)字芯片測(cè)試機(jī)D9016，專注于大規(guī)模集成電路IC市場(chǎng)開發(fā)的高密度、低綜合測(cè)試成本解決方案，包括: CPU，GPU、AI、RF芯片等應(yīng)用。

至純科技：公司在SEMICON展會(huì)展出其濕法設(shè)備、工藝支持設(shè)備和整體解決方案。公司濕法設(shè)備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)28nm節(jié)點(diǎn)全部工藝的機(jī)臺(tái)研制并取得訂單，同時(shí)在更先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的機(jī)臺(tái)開發(fā)進(jìn)展順利且獲得部分工藝訂單并交付中。