隨著全球核心存儲廠商業績的披露完畢，存儲行情的走勢也越來越清晰。在當下時間節點，主要大廠的業績是否有改善？有哪些細分賽道是值得我們關注的？未來存儲行情將如何演變？且聽芯八哥逐一道來。

存儲廠商Q3最新成績單

據芯八哥不完全統計，從全球存儲市場來看，受消費電子消費旺季的帶動，在2023Q3全球十大存儲大廠中，有9家廠商在營收上出現環比增長，僅希捷科技一家廠商環比下跌。Q3凈利潤方面，除了華邦電、希捷科技、慧榮科技外，其他7大廠商凈利潤都開始出現環比增長，其中南亞科、華邦電、三星電子更是以441%、255.52%、94.7%的增長幅度排名前三。

全球主要存儲大廠2023Q3及前三季度業績情況

資料來源：wind,芯八哥整理

具體來看，三星電子在2023Q3實現營收為504.58億美元，環比增長12.32%，同比下降12.22%。凈利潤為41.17億美元，環比增長255.52%，同比下滑39.85%。三星電子表示，伴隨存儲全行業的減產，行業觸底意識不斷增強，公司收到了大量采購咨詢。公司存儲業務以提高盈利能力為重點，將持續擴大HBM、DDR5、LPDDR5x、UFS 4.0等先進節點產品的銷售。對于庫存水平較高的老產品，公司正在針對性地通過降低產量來減少庫存。

美光2023財年第四財季數據顯示，其本季度營收40.1億美元，環比增長6.88%，同比減少39.64%。凈虧損為14.3億美元，環比增長24.58%，虧損幅度較上季度減少。分產品來看，美光DRAM產品單季營收28億美元，環比增長3%，位元出貨量環比增長10多個百分點，ASP環比下降高個位數百分比；NAND產品單季營收為12億美元，環比增長19%，位元出貨量環比增長超40%，ASP環比下滑十幾個百分點。

SK海力士的Q3財報指出，公司Q3營收為69.1億美元，同比下降17%，環比增長24%。凈虧損為16.7億美元，環比增長17%，同比下滑34%。從具體業務來看，公司NAND業務收入占比27%，約2.45萬億韓元， Bit出貨量環比增長約5%，ASP環比輕微下降；DRAM業務收入占比67%，約6.07萬億韓元， Bit出貨環比增長約20%，ASP環比增長約10%。SK海力士表示，公司業績在一季度低點后持續改善，今年一季度由盈轉虧的DRAM業務僅在兩個季度后實現扭虧為盈。而面向AI應用的HBM3、高容量DDR5和高性能LPDRAM等產品銷售勢頭良好，連續虧損的NAND業務也有跟隨市況出現好轉的跡象。

除了三星、美光、SK海力士原廠三巨頭之外，西部數據、南亞科和華邦電在2023Q3營收環比增長幅度分別為2.92%、10.10%、3.22%，業績也有明顯的反彈表現。西部數據表示，該季度業績超出公司預期，受益于單位容量的不斷增長，公司的閃存和HDD的利潤率得到連續改善；南亞科技指出，隨著市場朝DDR5轉換，各家供應商投片較集中在DDR5，有助DDR4、LPDDR4庫存去化。此外，公司其還指出存儲市場需求在Q3已有所改善，第四季bit出貨量將增加，價格也有機會翻揚，虧損可望進一步收斂；華邦電認為，今年各界表示景氣不佳，主要是2021年及2022年景氣大好，使得今年景氣修正，在心理感受上有擴大情況。今年產品銷售情況其實不會比2019年及2020年差，若排除2021年及2022年因疫情造成的異常狀況，今年產業景氣應屬于健康狀態，還處于長期上升趨勢中。

而在模組廠商方面，希捷科技的Q3業績表現依然比較掙扎，在2024會計年度Q1財報實現營收為49.16億美元，同比下滑34.15%，環比下滑9.24%；工業模組廠商宜鼎國際在Q3實現營收為0.65億美元，環比增長4.81%。凈利潤為0.09億美元，環比增長32.83%，業績已有一定的改善；主控廠商方面，群聯電子和慧榮科技分別在Q3的營收分別為3.84億美元、1.72億美元，環比分別增長23.80%、22.78%，業績也出現一定的復蘇情況。群聯執行長潘健成指出，9月SSD模組出貨量持續回溫，加上NAND市場價格回穩起漲態勢明確，客戶開始陸續回補庫存。我們認為Q3期間由于OEM客戶調整庫存已近尾聲，再加上公司有拿到更多Design-in的案子，控制芯片需求也已逐步回升，整體投片量緩步擴大;慧榮科技慧榮科技總裁兼CEO Wallace Kou 表示,我們對第三季度的強勁表現感到滿意，因為開始看到渠道中的庫存水平正?；緀MMC+UFS控制器在第三季度銷量環比增長100%至105%，而我們的 SSD 控制器銷量再次實現環比增長。

從中國大陸市場來看，11大上市存儲廠商中除了兆易創新、朗科科技、恒爍股份外，其他8家公司在Q3季度營收都出現了環比增長。其中，佰維存儲、德明利、江波龍分別以34.78%、33.67%、29.03%的環比增幅位例前三；Q3凈利潤方面，目前行業出現一定的分化，其中瀾起科技、北京君正、普冉股份、朗科科技等廠商凈利潤環比增長已經在30%以上，而兆易創新、東芯股份、聚辰股份、恒爍股份等廠商即使在行業回暖的當下，業績依然延續了此前的下跌趨勢。

中國大陸主要存儲廠商2023Q3及前三季度業績情況

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具體來看，兆易創新第三季度營業收入14.29億元，同比下降28.14%，環比下滑12.05%。凈利潤為0.98億元，同比下降82.71%，環比下滑47.45%；瀾起科技Q3營收為5.98億元，環比增長17.61%。凈利潤為1.52億元，環比增長144.47%。隨著公司DDR5 內存接口芯片出貨量持續提升，公司主要經營指標已經連續兩個季度環比明顯改善；北京君正第三季度營收11.99億元，環比增長4.03%。凈利潤為1.46億元，環比增長 36.07%；江波龍在第三季度營收為28.72億元，同比增長66.62%。凈利潤-2.87億元，環比增長9.05%。江波龍表示，在原廠減產效應的影響下，晶圓價格上漲的趨勢已經形成，產業鏈上下游對于本輪價格調整基本達成一致。在存儲主要市場中，NAND Flash的整體漲幅更為一致，DRAM不同產品的漲幅存在較大差異。盡管目前下游市場對存儲器的采購需求有一定的恢復，但后續的漲價幅度與漲價頻率，取決于下游終端需求能否形成持續支撐，需要持續關注宏觀經濟復蘇情況。

供需端發生新變化

存儲的行情走勢具有明顯的周期性，其價格的波動走向與供需兩端動態博弈的強弱息息相關。

在供給端，存儲市場約90%左右的產能掌握在以三星電子、美光科技、SK海力士、西部數據、鎧俠等原廠手里，他們的資本開支與擴產計劃影響著整個市場供給的波動。

在面對庫存高漲、普遍利潤虧損的情形下，從去年Q4開始存儲原廠相繼啟動減產。其中三星已加大NAND閃存減產力度，公司已在上半年將NAND閃存產量削減了20%，預計到2023年底減產幅度將達50%；SK海力士已經在2022Q4減少部分低利潤及高庫存產品的晶圓產能，效果已經在Q1逐漸顯現。此外，公司也在盡量減少不必要的投資，使2023整體資本支出將同比減少超50%；美光在 2023 年資本支出下降 42%，近期將DRAM和NAND晶圓開工率進一步減少至接近30%，預計減產將持續到2024年。

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原廠的大幅減產，讓此前存儲行業高企的庫存自Q1季度高點大幅度減少。此外，根據TrendForce數據顯示，2023年Q2三星、美光、海力士的稼動率分別下降至77%/74%/82%。為了保利潤，目前各大存儲廠稼動率依然保持在低位運行。

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在需求端，手機市場方面，受消費旺季的帶動，集邦咨詢預計第三季度智能手機產量約為2.97億部，環比增長9.1%，同比增長2.7%。目前，存儲的RAM和ROM最新產品規范發展到了LPDDR5/5x和UFS4.0，已經成為各大手機廠商高端旗艦應用首選。在Q3季度蘋果、華為等新機發售的帶動下，旗艦產品對LPDDR5/5x及UFS4.0的需求不斷增加，加上由于存儲跌價導致的存儲容量增長將推動下半年產品售價有所改善。SK海力士表示，由于今年下半年新機發售加上旗艦產品組合增加，LPDDR5需求加速，整機上看，伴隨部分換機周期來臨，整機出貨量明年預計將實現約5%增長；美光指出，公司移動業務在Q3單季營收12億美元，環比增長48%，主要受季節性和發貨時間的影響所致。

至于PC市場，根據IDC的數據顯示，2023年3季度全球PC出貨量環比增長了11%，出貨量為6820萬臺。隨著PC終端庫存恢復健康水位，供應鏈備貨需求逐步回溫，且存儲器低價誘因加上存儲器原廠推動規格升級，預期2024年上半年DDR5滲透率將可望超過DDR4。SK海力士指出，PC市場隨著渠道庫存回歸正常水位，加上明年換機需求提升，整體出貨量有望實現約5%增長。另外，由于存儲產品成本下滑以及AI PC出現，預計2024年容量增長有望實現兩位數百分比。

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存儲價格行情走勢

市場需求始終是商業創新的驅動力。隨著數字經濟的不斷發展，存儲容量也在不斷提升。

自今年Q1以來，手機市場上，目前已經有很多廠商的最新中高端機型已經開始邁入512G。在下半年，華為、蘋果、小米等廠商也已經發布了1T的手機設備；而在PC市場，今年全面進入512G和1T時代，并且以1T為主；服務器同樣，目前平均容量也在快速的向上發展。

隨著手機、PC、服務器三大主流應用存儲容量的不斷提升，整個行業的存儲容量也在不斷增長。根據CFM閃存市場的數據，2022年全球NAND總的生產量達到6100億的當量，同比增長約6%。而DRAM生產量大約在1900億GB的當量，上漲了約2%。在下半年存儲市場回暖的帶動下，據其預測，2023年NAND Flash的增速將保持在10%左右，而DRAM容量有望在去年2%的增速基礎上翻倍增長提升到5%。

資料來源：CFM閃存市場

除了容量的爆發式增長外，存儲芯片的性能也在不斷提升。以DRAM為例，隨著多核CPU數量的增加，滿足下一代帶寬要求的壓力變得更大，因此需要更高的內存技術。目前，DRAM先進制程技術已發展至第五代，10nm級別，美光稱之為1β DRAM，三星等廠商稱之為1b DRAM。

在2022年，美光正式量產1β DRAM，相較上一代的1α（1-alpha）制程，美光最新的1-beta制程功耗降低約15%，位元密度提升超過35%，每顆晶粒容量可達16Gb；三星方面，今年5月，三星量產12nm級16Gb DDR5 DRAM。9月，三星開發出基于12nm級工藝技術的32Gb DDR5 DRAM，將于今年年底開始量產。三星將于2026年推出DDR6內存，2027年即實現原生10Gbps的速度；SK海力士方面，今年1月，SK海力士將第四代10nm級（1a）DDR5服務器DRAM適用到英特爾?第四代至強?可擴展處理器，并在業界首次獲得認證。5月，SK海力士第5代10nm工藝1bnm已完成技術研發，采用HKMG（High-K Metal Gate）工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。

展望未來，三星電子指出，第四季度存儲價格將環比上漲，并且預計2024年智能手機市場需求將反彈；美光預計整個2024財年的定價和盈利能力都會有所改善，尤其在明年下半年毛利潤將會回正；SK海力士則指出，公司2024年資本支出將較2023年有所增加，但是考慮到整體財務穩定性以及投資效率，增長幅度將降至最低。未來，公司將會把投資側重點放在HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力產品上。此外，公司也將進行以第四代10納米級(1a)和第五代10納米級(1b)DRAM為中心的生產線轉換，同時擴大對HBM TSV技術的投資。

目前，雖然全球經濟前景充滿種種不確定性，但存儲行業已經釋出一些良好信號。根據TrendForce的預測，由于供應商嚴格控制產出，NAND Flash和DRAM在第四季合約價預計全面起漲，其中NAND Flash漲幅約8~13%，而DRAM季漲幅約3~8%。

不過，需要注意的是，此次存儲芯片價格的上升以及市場景氣度的改善，主要是由原廠“主動調控”而出現的，其漲勢能否延續仍需觀察供應商是否持續堅守減產策略以及下游實際需求回溫的程度。否則，在缺乏需求作為支撐的前提下，存儲價格在2024年要延續漲勢將有一定的難度。