據外媒消息，日本產業省周二表示，將向鎧俠和西部數據提供2429億日元（約合16.4億美元）補貼，幫助它們在三重縣和巖手縣擴大存儲芯片生產。日本工業大臣齋藤健表示，支持日本芯片制造商鎧俠與西部數據合并。并預計未來內存市場將大幅增長，包括用于生成式人工智能的內存。

自2021年以來，西部數據及其制造合作伙伴鎧俠一直就合并事宜展開談判，合并后雙方將創建一家控制全球NAND閃存市場三分之一的公司。2022年10月，鎧俠和西部數據在日本三重縣四日市合資建設的閃存制造工廠Fab7舉行了竣工儀式。該廠總投資約一萬億日元，第一階段部分投入由政府補貼資助，以促進日本本土尖端半導體生產設施建設。該工廠具備生產162層NAND Flash和未來更先進3D閃存的能力。

該合并談判在2023年10月陷入僵局，隨后西部數據宣布，該公司將剝離一直面臨供應過剩問題的閃存業務，并為其部分債務進行新一輪融資。此次分拆將使這家數據存儲產品制造商保留其傳統的硬盤驅動器業務，并創建兩家上市公司，以滿足激進投資者埃利奧特的要求。去年，埃利奧特投資管理公司向西部數據施加壓力，要求將其閃存業務和硬盤驅動器部門分開。

近日，據外媒引援知情人士說法稱，貝恩資本正與相關公司洽談，尋求重啟存儲芯片制造商西部數據與日本半導體公司鎧俠的合并談判。


三大存儲原廠削減產能

為了調整市場供應，加速供需關系回歸平衡，三星電子、SK海力士和美光這三大存儲原廠紛紛采取了多項實質性措施。

首先，三星電子在2023年第四季度的資本開支同比大幅減少25.53%，降至14.0萬億韓元，體現了其對產能控制的決心。該公司計劃至2024年上半年，將NAND閃存產量削減規模進一步擴大至40%-50%，以有效緩解市場供過于求的壓力。

其次，SK海力士也相應減少了投資力度，2023年的資本開支同比下降50%至9.5萬億韓元，并預計2024年資本開支將同比小幅增長。公司自2023年10月起宣布實施NAND閃存減產措施，該政策將持續到至少2024年6月。

再者，美光方面，在2023財年內，各季度資本開支呈現逐季下滑趨勢，至2024財年第一季度（FQ1-24），資本開支環比激增88.89%，升至17億美元。自2022年11月開始，美光首次宣布并逐步加大減產幅度，從最初的20%逐步提升至30%，同時預測2024年的晶圓開工率將顯著低于2022年的水平。

與此同時，中國臺灣地區的多家存儲廠商也在2023年第四季度實現了營收的環比增長，反映出市場需求回暖以及存儲價格上漲的良好態勢。例如，模組廠商威剛得益于PC市場的復蘇，23Q4單季營收創下近13年來的歷史新高，并預期DRAM與NAND Flash價格有望在全年保持上升格局。存儲封測廠商力成科技在23Q4的季度營收超出了預期，其中12月份的營收更是達到了近14個月的新高，并樂觀預計2024年下半年公司的稼動率有望達到80%，且此良好勢頭可能延續至2025年。

滿足個性化需求成重點

在存儲領域，還有一些常用卻又容易忽視的移動存儲設備，諸如U盤、閃存卡、移動硬盤等?？赡苡腥苏f，2023年了，誰還用U盤，手機空間都256GB起步了。話是這么說，但是能用到U盤的場景還是很多的。不過，這的確已經不是各大廠商發力的重點產品線了。移動硬盤類產品，移動固態硬盤更多滿足專業化存儲需求，為極客玩家提供更快速的存儲方案。而移動機械硬盤，仍然有容價比優勢。廠商除了在外觀上做一些個性化設計以外，卻也不能再有性能更強的新品了。不過，沖著顏值和容價比，還是可以沖一波的。閃存卡則與這兩類產品有所不同，它一直有著自己固定又專業的目標客戶群，所以即使不是每個人都會買，廠商仍然會在提升它的專業性能上發力。

體現到終端設備上的亮點與創新，讓消費者切實感受到了存儲設備在速度和容量上的再次突破。沒錯，為了應對日益快速增長的用戶數據量，存儲設備提速和擴容是永恒不變的主旋律。在這個基礎上，滿足專業用戶個性化的存儲需求的解決方案將會成為各大廠商未來主要發力的方向。

值得一提的是，在2023年，采用長江存儲NAND顆粒、長鑫存儲DRAM顆粒的固態硬盤、內存在“價格戰”中搶占優勢，也給了消費者更多、更具性價比的存儲解決方案。尤其是人工智能的廣泛應用，數據量快速增長，NAND、DRAM、HBM 等高性能存儲設備需求量更加龐大，國產存儲迎來了最好的時機。對消費者來說，一款性能靠譜的產品就會得到大家的青睞。希望在2024年，我們會看到更多能夠輕松應對不斷變化的存儲需求的解決方案。


HBM成為高性能計算軍備競賽的核心

目前，訓練、推理環節存力需求持續增長、消費端及邊緣側算力增長，正在打開HBM市場空間。

從成本端來看，HBM的平均售價至少是DRAM的三倍，此前受ChatGPT的拉動同時受限產能不足，HBM的價格一路上漲，與性能最高的DRAM相比HBM3的價格上漲了五倍，高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流。

根據TrendForce，2022年全球HBM容量約為1.8億GB，2023年增長約60%達到2.9億GB，2024年將再增長30%。方正證券觀點認為，以HBM每GB售價20美元測算，2022年全球HBM市場規模約為36.3億美元，預計至2026年市場規模將達127.4億美元，對應CAGR約37%。

集邦咨詢則表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重預計分別為50%及39%。2024年市場需求將大幅轉往HBM3，HBM3比重預計達60%。由于HBM3平均銷售單價遠高于HBM2e與HBM2，因此將助力原廠HBM領域營收增長，有望進一步帶動2024年整體HBM營收至89億美元，同比增長127%。

目前整個HBM市場是三分天下的格局，其中SK海力士技術領先，三星/美光加速追趕。

SK海力士當前技術領先，核心在于MR-MUF技術，MR-MUF能有效提高導熱率，并改善工藝速度和良率。SK海力士于2021年10月率先發布HBM3，2023年4月公司實現了全球首創12層硅通孔技術垂直堆疊芯片，容量達到24GB，比上一代HBM3高出50%，SK海力士計劃在2023年年底前提供HBM3E樣品，并于2024年量產，公司目標2026年生產HBM4。

三星則有萬億韓元新建封裝線，預計25年量產HBM4。為應對HBM市場的需求，三星電子已從三星顯示（SamsungDisplay）購買天安廠區內部分建筑物和設備，用于建設新HBM封裝線，總投資額達到7000-10000億韓元。三星預計將在2023Q4開始向北美客戶供應HBM3。

美光則將在2024年量產HBM3E，多代產品研發中。美光在此前的財報電話會議上表示將在2024年通過HBM3E實現追趕，預計其HBM3E將于2024Q3或者Q4開始為英偉達的下一代GPU供應。11月6日美光在臺灣臺中四廠正式開工，宣布將集成先進的探測和封裝測試功能，生產HBM3E等產品。