近日，韓國存儲器巨頭SK海力士（SK hynix）確認(rèn)高帶寬記憶體（HBM）銷售創(chuàng)紀(jì)錄，2024年全年HBM產(chǎn)能已全部售罄，預(yù)示著內(nèi)存市場即將迎來復(fù)蘇。

根據(jù)SK海力士副社長金起臺（Kim Ki-tae）在官方博客的表述，過去幾個月HBM的銷售創(chuàng)下歷史新高，成功帶動了公司第四季度的盈利。金起臺指出，生成式人工智能服務(wù)的日益多樣化和持續(xù)發(fā)展，作為AI存儲器解決方案的HBM需求也出現(xiàn)爆炸性增長。

HBM作為一款高效能、高容量的內(nèi)存產(chǎn)品，被認(rèn)為具有里程碑意義，顛覆了傳統(tǒng)觀念中內(nèi)存只是整個系統(tǒng)一部分的看法。SK海力士憑借卓越的技術(shù)實力在全球大型科技公司中備受青睞，其HBM在市場上取得了領(lǐng)先地位。

金起臺透露，盡管外部仍存在不穩(wěn)定因素，但2024年存儲器市場有望逐漸加溫。全球大型科技客戶的產(chǎn)品需求復(fù)蘇是其中一個重要原因。隨著PC、智能手機等AI裝置對人工智能應(yīng)用的提升，HBM3E、DDR5、LPDDR5T等產(chǎn)品的需求也將增加，為內(nèi)存市場帶來新的增長動力。

SK海力士早已著眼未來，為了保持市場領(lǐng)先地位，公司已經(jīng)開始為2025年預(yù)作準(zhǔn)備。此外，有消息稱SK海力士選定印第安納州建造先進(jìn)封裝廠，專注于3D堆疊制程，為HBM制造提供更強大的支持。這也是美國政府為降低對臺灣先進(jìn)芯片依賴而提出的戰(zhàn)略之一。

SK海力士表示，今年底的HBM生產(chǎn)配額已全部售罄，公司已經(jīng)在積極爭取客戶購買量，以更有利的條件銷售高質(zhì)量產(chǎn)品。面對內(nèi)存市場的激烈競爭，SK海力士通過提前做好應(yīng)對人工智能時代到來的準(zhǔn)備，成功占據(jù)了市場領(lǐng)先地位。


AI掀起存儲芯片戰(zhàn)爭

對于韓國半導(dǎo)體行業(yè)來說，去年有一個壞消息，也有一個好消息。壞消息是內(nèi)存和存儲行業(yè)進(jìn)入到了下行周期，庫存飆升，售價猛跌，韓國半導(dǎo)體廠商為此蒙受了巨額的虧損。

而好消息是在下行周期中，由于英偉達(dá)AI加速卡的帶動下，全世界的科技公司都開始爭搶AI芯片，至今還是供不應(yīng)求的狀態(tài)，HBM便水漲船高，成為逆勢大漲的內(nèi)存產(chǎn)品。

而英偉達(dá)的產(chǎn)能之所以上不來，很大程度就是因為HBM不夠用。英偉達(dá)的每塊H100芯片都要用到六顆HBM3芯片，總?cè)萘靠蛇_(dá)80GB。而新推出的H200 AI加速卡，需要采用新升級的HBM3e芯片，總?cè)萘靠稍鲋?41GB。

HBM(高寬帶內(nèi)存)被認(rèn)為是加速下一代AI技術(shù)發(fā)展的先進(jìn)存儲技術(shù)。隨著GPU功能越來越強大，需要更快的從內(nèi)存中訪問數(shù)據(jù)，以縮短應(yīng)用處理時間。簡單的說，HBM就是將很多個DDR芯片堆疊起來，與GPU封裝在一起，實現(xiàn)更大容量和更快的傳輸速度，與傳統(tǒng)DRAM相比可提高十多倍。

AI服務(wù)器需要在短時間內(nèi)處理大量數(shù)據(jù)，而HBM基本是標(biāo)配。此外未來在智能駕駛、AR、VR等領(lǐng)域，都需要HBM更強大的帶寬來助力產(chǎn)品性能提升。

我們都知道，全球存儲芯片市場一直都是"三分天下"，三星與SK海力士兩家公司就占據(jù)七成市場，排名第三的美光則有20個點以上的市占。在HBM市場同樣如此，三星、SK海力士、美光均已布局HBM芯片多年，三星和海力士分別占據(jù)了四成和五成的份額，美光僅占10個點，并且將HBM研發(fā)作為優(yōu)先事項，量產(chǎn)當(dāng)前先進(jìn)的HBM3e產(chǎn)品。

為了支持HBM的發(fā)展，韓國近期還將HBM確定為國家戰(zhàn)略技術(shù)，為HBM供應(yīng)商提供稅收優(yōu)惠。除了破產(chǎn)外，迭代更快的一方，才握有下一代HBM4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的話語權(quán)。因為HBM用于AI芯片主要賣點就是性能"，一塊強大的AI芯片能大幅縮短訓(xùn)練模型的時間。對科技公司而言，盡早將大模型投向市場，多花點也值得。也就有了OpenAi負(fù)責(zé)人提出籌集7萬億美元來增加全球GPU芯片的儲備，解決芯片短缺，將人工智能技術(shù)推向新高度的大膽想法。

AI發(fā)展不僅需要高算力芯片，同時對高性能、高附加值的HBM需求也在猛增。只要AI熱潮還未褪去，毋庸置疑的是HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈將是所有芯片廠商的機會新風(fēng)口。相信在今年三星和SK海力士兩家不同技術(shù)路徑的情況下，還會做出更多的新動作，競爭HBM市場。


內(nèi)存價格漲勢或確定

此前TrendForce的市場研究顯示，2024年DRAM合約價預(yù)計維持增長，其中2024年第一季度DRAM合約價季漲幅約13——18%，第二季度合約價季漲幅減則是3——8%，第三季度合約價季漲幅8——13%，第四季度合約價季漲幅約8——13%。至少從市場研究調(diào)查機構(gòu)的角度來看，今年內(nèi)存漲價似乎已不可避免。

據(jù)博板堂報道，近期金士頓內(nèi)存拉動的價格行情，預(yù)計會到一個較高的預(yù)期，內(nèi)存的漲價行情至少會持續(xù)半年左右的時候。看起來DRAM合約價上漲的趨勢，已落到了具體的內(nèi)存產(chǎn)品行情上。

從上游傳遞的信息來看，后面價格往上漲的決心較大，原廠顆粒廠商堅信要不斷拉漲，而且?guī)状髲S商比較齊心。由于過去一年實施的減產(chǎn)已逐漸凸顯效應(yīng)，所以原廠不是特別著急出貨，更加下定了2024年不斷拉漲的決心。此外，過去兩年內(nèi)存需求的趨勢也是增長的，幅度也不小，特別是筆記本電腦和服務(wù)器的需求增長較大。與此同時，HBM產(chǎn)品消耗了原廠不少產(chǎn)能。雖然總體趨勢較為確定，但是不排除中間會有震蕩的機會。

目前內(nèi)存市場正處于DDR4過渡到DDR5的時期，不過更替的時間段很可能會延后至今年第三季度到第四季度之間，屆時兩種不同內(nèi)存的價格走勢會產(chǎn)生比較大的變化。