3月18日消息，受過去兩年半導體市場需求下滑的影響，三星存儲芯片部門連續多個季度一直處于虧損當中。財報顯示，整個2023財年，三星的半導體業務虧損額高達14.88萬億韓元（約合人民幣800.5億元）。不過，在2023年一季度后，三星啟動了減產計劃，推動了半導體業務的虧損持續收窄，其中DRAM業務已率先于2023年四季度扭虧為盈。現在，隨著市場需求的持續回暖，以及NAND Flash價格的回升和增產，將帶動三星半導體乃至整個三星電子業績的改善。

此前，慧榮科技總經理茍嘉章指出，目前整個存儲市場在數據中心的部分，DRAM方面受益于需求的增長，尤其是HBM、DDR5在人工智能與高性能計算上的應用，已經開始獲利。而過去跌幅較深的NAND Flash市場，也因為自2023年下半年價格的陸續開始回溫，預計2024年第一季度將會讓部分供應商獲利。目前，NAND Flash第二季的價格都已經談完，預計將會漲價20%，第二季之后則會讓大多數的供應商開始賺錢。而NAND Flash增產的時間點最快也要等到今年下半年以后。預計2025年上半年也將會維持著這一波的漲價行情，整體持續向上的狀態預計將可維持兩年的時間。

韓國《朝鮮日報》近日也報道稱，三星將針對手機、PC和服務器等客戶重新議價，預計將對NAND Flash漲價15%~20%。報道稱，因為在NAND Flash持續漲價的情況下，客戶下單訂購的意愿強勁。根據市場調研機構TrendForce的最新數據顯示，USB通用型NAND Flash存儲卡（128Gb 16Gx8 ML）固定交易價格在2024年1月為4.72美元，較2023年12月漲價8.8%，而且到了2月份又再漲了3.8%，達到了4.9美元，這使得NAND Flash價格呈現了連續五個月上漲。

在對NAND Flash漲價的同時，三星還對于NAND Flash進行了增產。據據韓國媒體TheElec引述未具名消息人士報導稱，三星電子正在提升其位于中國西安NAND Flash閃存廠的產能利用率，目前已恢復到了70%左右。自2023年二季度減產之后，三星西安NAND Flash廠的產能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是隨著2023年四季度市場需求的回暖，三星西安NAND Flash廠的產能利用率也開始逐步回升。

市場研究機構Omdia對 2024年三星 DRAM 晶圓產量水平也持樂觀態度。隨著市場過渡到升級周期，消費者希望更換現有的存儲和內存產品，預計產量將同比增長。據稱，該公司的目標是到 2024 年第四季度晶圓產量達到 200 萬片，比去年的數字增長 41%。三星現在的目標是通過提高生產水平來挽回損失的利潤，因為該公司預計未來需求將會增加。

除此之外，隨著人工智能行業需求的增加，三星正在尋求“重塑”其市場戰略，將其重點更多地轉向 HBM 生產。隨著三星贏得 NVIDIA 和 AMD 等巨頭的信任，預計三星將升級現有設施，以滿足人工智能產品的 HBM 需求。據悉，三星已經收到了 HBM3e 的訂單，客戶希望將其應用于下一代 AI GPU。

KB證券也表示，“三星電子的存儲半導體業績有望改善”，并認為三星電子今年第一季度的營業利潤將達到4.9萬億韓元左右，超過證券公司共識（4.6812萬億韓元，三個月平均預期）。與去年的6,402 億韓元相比，暴漲了669%。對于2024年全年的營業利潤預期也從32.536萬億韓元上調至33.06萬億韓元，并將明年的營業利潤從48.805萬億韓元上調至48.921韓元。