眾所周知，在芯片制造領域，我們落后于全球頂尖水平，同時上游的材料、設備也高度依賴進口，處境很難。

半導體設備領域，美國、日本、歐洲占全球80%以上的份額。半導體材料領域，日本、美國占90%以上的份額。

也正因為如此，所以國產供應鏈需要不斷的努力突破，實現國產替代，否則就會一直卡脖子。

但國產替代，不僅僅是市場問題，還有著技術問題，專利問題等等，畢竟前面的企業，已經通過各種專利、技術等，將整個生態體系控制在自己手中。

在這樣的情況之下， 國產要么在原有的技術上突破，要么換道超車，繞開這些技術封鎖。

而近日，有消息傳出，具有自主知識產權的光刻膠體系有了突破，繞開了日本的技術封鎖。

九峰山實驗室、華中科技大學組成聯合研究團隊，突破了“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術，這種技術和現有的光刻膠技術有所不同，通過巧妙的化學結構設計，性能優于大多數商用光刻膠。

目前該技術體系已經在產線上完成了初步工藝驗證，并同步完成了各項技術指標的檢測優化，實現了從技術開發到成果轉化的全鏈條打通，也就是說離量產已經不遠了。

要知道光刻膠目前對應芯片工藝，分為g線、i線、KrF、ArF、EUV這么5種。而國產光刻機，還處于ArF階段，最多只達到45nm階段。

像ArFi這種浸潤式光刻膠，EUV光刻膠，我們完全無法生產，只能從日本進口，整個光刻膠市場，總體國產率還不到10%。

所以這個突破實在是太有意義了，以往我們主要按照日本的路在足，就是不斷的進行配方調試，將成百上千的樹脂、光酸和添加劑進行排列組合，不斷的嘗試、驗證，調整。

但新的體系，雖然也要如此進行排列組合，要不斷的進行調整，但這種技術能夠大大的減少這個時間，加快進度，并能夠獲得更好的效果，同時據稱這種技術也能同時為 EUV 光刻膠的著力開發做技術儲備。