半導體行業(yè)主要由設計、制造、封測和應用四個環(huán)節(jié)構(gòu)成。設計階段主要包括半導體芯片的架構(gòu)設計以及系統(tǒng)級（SoC）設計；制造階段主要由晶圓廠進行，包括光刻、蝕刻、清潔等一系列復雜的制程；芯片制造好后，需要通過封裝保護芯片，并進行電性能測試，確認芯片的功能是否正常；最后，半導體產(chǎn)品被集成到各種設備中，如手機、電腦、電視、汽車等。

整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈從設計到最終產(chǎn)品應用，涉及到眾多企業(yè)和行業(yè)，每個環(huán)節(jié)都有其獨特的價值和投資機會。當前地緣政治局勢緊張，中美摩擦前景仍不明朗，半導體作為信息技術產(chǎn)業(yè)的核心，受到各國戰(zhàn)略性重視，供應鏈安全意識空前強化。

手機產(chǎn)量上升、存儲器市場回暖、晶圓制造營收增長，這三組數(shù)據(jù)傳遞出一個信號：在消費電子市場的帶動下，半導體市場迎來增長季。

近日，記者觀察到三組數(shù)據(jù)：一是全球手機出貨量提升。研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度，全球智能手機出貨量同比增長7.8%至2.89億臺；工業(yè)和信息化部數(shù)據(jù)顯示，2024年1—2月，我國智能手機產(chǎn)量1.72億臺，同比增長31.3%。二是半導體行業(yè)“晴雨表”——存儲市場回暖，全球兩大存儲原廠獲利情況改善。三星電子2024年第一季度利潤大幅反彈，同比增長超過9倍，美光向多數(shù)客戶提出調(diào)升Q2產(chǎn)品報價，漲幅超過20%。三是半導體制造企業(yè)第一季度營收增長。全球前十大晶圓廠中的四家發(fā)布了3月營收數(shù)據(jù)，最高同比增長達44.8%。


存儲回暖來自AI強勢帶動

存儲芯片市場規(guī)模巨大，是半導體業(yè)內(nèi)最大的細分市場，覆蓋消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、汽車、航空航天等各個領域，并且新興應用領域的涌現(xiàn)也在不斷刺激存儲芯片的市場需求。存儲芯片標準化程度高，可替代性強，具備大宗商品(Commodity)屬性。存儲芯片產(chǎn)品已經(jīng)基本商品化，其價格受下游需求影響較為敏感，行業(yè)景氣度受供需關系影響較大，呈現(xiàn)出較強的周期性，其價格、庫存也是整個半導體行業(yè)景氣度的風向標。

日前，全球最大存儲芯片制造商三星電子公布了2024年第一季度營收數(shù)據(jù)，營業(yè)利潤約為6.6萬億韓元（合49億美元），同比增長931.3%。這一增長結(jié)束了三星電子自2022年第三季度開始的連續(xù)季度下滑。三星電子2024年第一季度利潤大幅反彈，反映出該公司關鍵的半導體部門出現(xiàn)好轉(zhuǎn)，以及Galaxy S24智能手機銷售強勁。

美光2024年第二財季（截至2024年2月29日）營收實現(xiàn)58.24億美元，同比增長58%。日前，美光向多數(shù)客戶提出調(diào)升2024年第二季度產(chǎn)品的報價，漲幅超過20%。

在今年一季度期間，據(jù)存儲器模塊業(yè)者傳出，三星電子、美光等存儲器大廠，規(guī)劃將DRAM價格調(diào)漲15%-20%。業(yè)界人士稱，上游原廠漲價焦點將從NAND轉(zhuǎn)移至DRAM，DDR4、DDR5有望成下一波調(diào)漲重點，以加速改善營運虧損。

目前，全球存儲芯片需求復蘇的跡象越來越多，DRAM存儲芯片和NAND閃存芯片價格從去年10月至12月連續(xù)反彈，此外，智能手機和個人電腦制造商對內(nèi)存的需求也有復蘇的跡象，HBM和CXL等高性能DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的需求劇增，同時，由于人工智能的蓬勃發(fā)展，相關供應商在全球HBM市場上占據(jù)了上風，目前，HBM系列DRAM的需求正在增長。

華泰證券指出，存儲行業(yè)周期從2023年三季度開始復蘇上行，存儲價格及供應鏈盈利水平已逐步回暖，2023年四季度以及2024年一季度延續(xù)上行趨勢，價格水平逐步回升至正常水平。同時，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)持續(xù)國產(chǎn)化，在長鑫技術逐漸突破的帶動下，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)包括半導體設備、設備零部件、半導體材料、存儲封測及模組將同步受益，全球市占率有望持續(xù)提升。

半導體行業(yè)專家盛陵海在接受《中國電子報》記者采訪時表示，存儲市場近期呈現(xiàn)向好態(tài)勢，除了一定程度上受到此前原廠減產(chǎn)主動調(diào)控的影響外，很大程度上得益于兩大市場的帶動：一個是由于大模型訓練帶來的數(shù)據(jù)中心側(cè)需求增長，另一個關鍵因素在于手機市場，尤其是AI手機帶來的市場增量。

具體來看，DRAM和NAND均感受到了高市場需求。

美光在2024年第二財季報告中指出，人工智能服務器的需求正在推動HBM、DDR5（D5）和數(shù)據(jù)中心SSD的快速增長，這使得DRAM和NAND的供應變得更加緊張。當前大模型訓練參數(shù)已高達千億。并稱，其12層堆疊的HBM3E產(chǎn)品單層DRAM容量提高了50%，達到36 GB，預計從第三財季開始，HBM收入將增加美光DRAM和整體毛利率。在智能手機市場，美光稱，AI手機將比當前的非AI旗艦機DRAM用量提高50%~100%。

有消息稱，三星電子將于4月晚些時候開始批量生產(chǎn)290層第九代垂直NAND芯片，并將于明年推出430層NAND芯片。據(jù)市場研究公司Omdia預計，NAND閃存市場在2023年下降37.7%后，預計今年將增長38.1%。

“Flash用于處理熱數(shù)據(jù)，即經(jīng)常用的數(shù)據(jù)。當前AI的訓練和應用需要調(diào)用更多的數(shù)據(jù)，促進了Flash的迭代升級。與此同時，升級的3D NAND工藝在提高集成度的同時降低了單位容量的成本。”盛陵海說，“除了模擬芯片由上一輪缺貨帶來的過度生產(chǎn)的情況較明顯，去庫存周期相對更長之外，包括存儲在內(nèi)的大多數(shù)產(chǎn)品都已經(jīng)回暖。”

半導體行業(yè)資深人士李國強在接受《中國電子報》記者采訪時表示，全球存儲市場的增長來源于三個因素：AI（大模型訓練）、手機和漲價。其中手機和AI（大模型訓練）帶來的增長相近，用于數(shù)據(jù)中心大模型訓練的HBM等存儲產(chǎn)品，由于單價高，給存儲企業(yè)帶來的需求增長相對更大一些。


手機市場看漲拉動晶圓廠備貨

近日，位于中國臺灣地區(qū)的晶圓代工廠紛紛發(fā)布了今年3月的營收報告。全球最大的晶圓代工企業(yè)臺積電實現(xiàn)營收約60.5億美元，同比增長34.3%；聯(lián)電實現(xiàn)營收約5.63億美元，同比增長2.7%；世界先進實現(xiàn)營收約1.12億美元，同比增長44.8%。從環(huán)比數(shù)據(jù)來看，臺積電環(huán)比增長7%；聯(lián)電環(huán)比增長4%；力積電環(huán)比增長3%；世界先進漲幅較大，環(huán)比增長17%。

李國強告訴《中國電子報》記者，先進工藝芯片的生產(chǎn)周期大致需要2~3個月，MCU等工藝相對簡單的芯片的生產(chǎn)周期在1.5~2個月之間。因此，晶圓廠3月的營收數(shù)據(jù)，大致能夠反映1月從芯片設計企業(yè)傳達來的訂單需求。相應地，芯片設計企業(yè)獲得的來自手機等整機企業(yè)的需求要再往前推1~2個月。因此，晶圓制造企業(yè)3月的營收增長大致可推斷為，可能受到來自去年年底手機廠商加單的帶動。

根據(jù)市場研究機構(gòu)Counterpoint數(shù)據(jù)，中國智能手機銷量在2023年第四季度同比增長6.6%，且高端機型成為手機廠商重要增長拉動力。該機構(gòu)預測，2024年，價格在150~249美元（折合人民幣1084~1800元）之間的中低端手機市場出貨量預計增長11%，而高端智能手機市場（600~799美元，折合人民幣4337~5776元）出貨量將增長17%。

李國強認為，手機作為一種成熟的電子產(chǎn)品，正在全球范圍內(nèi)持續(xù)滲透、穩(wěn)定增長。如國內(nèi)知名品牌傳音公司，他們的大幅增長主要來自東南亞、南亞、中南美等發(fā)展中地區(qū)，而全球主要手機市場的成長在很大程度上主要來自手機的持續(xù)升級。手機的升級反映在半導體市場，將呈現(xiàn)出兩大特點：中高端芯片的持續(xù)增長和存儲容量的大幅增長。這些因素是推動全球尤其是中國半導體市場增長的有力因素。

關于2024年全球半導體市場發(fā)展情況，市場上存在幾種不同的預測：美國半導體行業(yè)協(xié)會稱，2024年全球半導體產(chǎn)業(yè)銷售額將增長13.1%；行業(yè)資訊公司Gartner預測，2024年全球半導體收入預計增長16.8%，達到6240億美元。但也有市場分析人員對這一數(shù)據(jù)持謹慎態(tài)度，認為2024年全球半導體市場增幅在10%以內(nèi)，但同樣認可2024年全球半導體市場的回暖態(tài)勢。