為改善營(yíng)運(yùn)與提振氣勢(shì)，英特爾執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger啟動(dòng)設(shè)計(jì)與制造內(nèi)部分拆大計(jì)。法新社

由英特爾（Intel）所號(hào)召的二線代工聯(lián)盟勢(shì)力可望迅速拉升，5年內(nèi)雖難以挑戰(zhàn)臺(tái)積電，但至少拉近市佔(zhàn)差距，且讓眾廠皆有生存空間。

英特爾近日直接揭露制造部門(mén)等財(cái)務(wù)現(xiàn)況與展望，2023年大虧70億美元，且至2027年才有機(jī)會(huì)損益兩平的預(yù)估，導(dǎo)致市場(chǎng)大多看衰其重返晶圓代工戰(zhàn)場(chǎng)表現(xiàn)。

對(duì)此，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，英特爾記取10奈米延宕所帶來(lái)的營(yíng)運(yùn)與氣勢(shì)衰減教訓(xùn)，執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger上任以來(lái)全力拉近與臺(tái)積電的制程技術(shù)差距已見(jiàn)成效。

而最關(guān)鍵的“與客戶(hù)爭(zhēng)利、沒(méi)見(jiàn)大單落袋”，除了已有美國(guó)政府釋單及部分美系大廠支持外，英特爾也正與聯(lián)電、高塔（Tower Semiconductor）等二線晶圓代工廠結(jié)盟，合力改善位于新墨西哥州、亞利桑那州等既有晶圓廠區(qū)的生產(chǎn)成本、產(chǎn)能利用率、客戶(hù)規(guī)模等劣勢(shì)。

面對(duì)市場(chǎng)看衰聲浪，英特爾重返晶圓代工戰(zhàn)場(chǎng)的決心依舊堅(jiān)定，除了自身制程技術(shù)與研發(fā)創(chuàng)新能力絕對(duì)不輸臺(tái)積電外，更重要的是肩負(fù)美國(guó)政府重返半導(dǎo)體制造榮耀的重任。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，為改善營(yíng)運(yùn)與提振氣勢(shì)，英特爾執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger啟動(dòng)設(shè)計(jì)與制造內(nèi)部分拆大計(jì)，也就是雙邊不再干擾與拖累對(duì)方，設(shè)計(jì)部門(mén)可按競(jìng)況與最佳成本、良率等考量進(jìn)行委外釋單，這也是英特爾為何擴(kuò)大下單臺(tái)積電7奈米以下，甚至是3奈米制程的關(guān)鍵所在。

進(jìn)一步來(lái)看，隨著英特爾處理器平臺(tái)不再擠牙膏，在臺(tái)積電助攻下，如期推出且整體效能符合預(yù)期，原本擁抱臺(tái)積電的超微（AMD），將不再具有優(yōu)勢(shì)，接下來(lái)在PC、伺服器戰(zhàn)局中，搶奪英特爾版圖的難度大增。

而最受關(guān)注的就是晶圓代工部署，設(shè)備業(yè)者指出，Pat Gelsinger上任以來(lái)，同步且迅速執(zhí)行IDM 2.0等多項(xiàng)重大改造策略，重整效益也正緩步顯現(xiàn)，包括全力消除先前14奈米與10奈米世代延宕多年的危機(jī)，“四年五節(jié)點(diǎn)”目標(biāo)將如期實(shí)現(xiàn)。

還有宣布位于美國(guó)俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發(fā)基地中，已完成業(yè)界首臺(tái)商用高數(shù)值孔徑極紫外光微影設(shè)備（High NA EUV）組裝，將開(kāi)始進(jìn)行多項(xiàng)校準(zhǔn)步驟，預(yù)計(jì)于2027年啟用、率先用于Intel 14A制程，導(dǎo)入時(shí)程領(lǐng)先三星電子（Samsung Electronics）與臺(tái)積電，奪回制程技術(shù)領(lǐng)先王位的企圖心顯著。

英特爾相當(dāng)清楚市場(chǎng)的疑慮在于“沒(méi)有外部大客戶(hù)與大規(guī)模訂單落袋”，對(duì)比臺(tái)積電不斷強(qiáng)調(diào)的“專(zhuān)業(yè)代工”，英特爾先天條件確實(shí)不及。

設(shè)備業(yè)者表示，英特爾為此也擬定三大反擊策略：首先是不斷公開(kāi)凸顯地緣政治風(fēng)險(xiǎn)、兩岸衝突危機(jī)，強(qiáng)調(diào)1990年全球8成晶片都在歐美制造，但現(xiàn)在則反過(guò)來(lái)亞洲比重達(dá)8成，美國(guó)只剩下12%，歐洲更只有8%。

英特爾提醒所有客戶(hù)，半導(dǎo)體晶片集中在亞洲生產(chǎn)是非常危險(xiǎn)，也因此肩負(fù)重任的英特爾，目標(biāo)是將歐美制造比重由20%提升至50%。

第二則是擁有歐美政府的支持，包括建廠補(bǔ)助與承接訂單。美國(guó)國(guó)防部先前提出“RAMP-C”計(jì)畫(huà)，一開(kāi)始即與英特爾簽下代工協(xié)議，將使用18A技術(shù)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)晶片，雙方合作已進(jìn)入早期試產(chǎn)階段。

此外，英特爾也已宣布18A制程也獲微軟（Microsoft）釋單。

英特爾其實(shí)也一再對(duì)外重申2030年將成為全球晶圓代工市佔(zhàn)第二大的目標(biāo)，目前的策略是向客戶(hù)表明為臺(tái)積電以外的第二供應(yīng)商定位，強(qiáng)調(diào)訂單風(fēng)險(xiǎn)分散，爭(zhēng)取客戶(hù)投片。

第三則是結(jié)盟聯(lián)電與收購(gòu)失敗的高塔等二線代工業(yè)者，未來(lái)甚至可能納入前2年不愿相親的GlobalFoundries（GF）。

Pat Gelsinger先前直言，目前全球相關(guān)政府監(jiān)管單位對(duì)于半導(dǎo)體投資與收購(gòu)案控管極為嚴(yán)謹(jǐn)，因此英特爾不再以購(gòu)併為主要策略，而轉(zhuǎn)向結(jié)盟、互惠合作關(guān)係。

設(shè)備業(yè)者表示，英特爾收購(gòu)高塔失敗后，雙方也簽定協(xié)議，英特爾提供12吋晶圓代工服務(wù)給高塔，而高塔則將投資英特爾新墨西哥州工廠約3億美元，以收購(gòu)工廠即將裝設(shè)的設(shè)備與其他固定資產(chǎn)。

近月來(lái)高塔開(kāi)始斥資入手新設(shè)備，放置于英特爾墨西哥州工廠，雙方合作拉升制程技術(shù)、成本控制，以及擴(kuò)大接單能力與產(chǎn)能。

英特爾亦與聯(lián)電攜手開(kāi)發(fā)12奈米制程平臺(tái)，并在英特爾亞利桑那州廠進(jìn)行開(kāi)發(fā)和制造，預(yù)計(jì)2027年開(kāi)始量產(chǎn)。

對(duì)于停留在22/28奈米世代，14奈米未能推進(jìn)的聯(lián)電而言，必須考量三星、聯(lián)發(fā)科、瑞昱、聯(lián)詠等眾多大客戶(hù)推進(jìn)制程的強(qiáng)勁需求，因此透過(guò)與英特爾的合作，可守住客戶(hù)且大減建廠與獨(dú)立承擔(dān)設(shè)備與人力成本的巨大壓力。

對(duì)英特爾來(lái)說(shuō)，聯(lián)電、高塔的助陣，將充分利用既有廠區(qū)生產(chǎn)價(jià)值，以及快速帶入新客戶(hù)與訂單，進(jìn)一步拉升產(chǎn)能利用率與市佔(zhàn)，而英特爾也可同時(shí)專(zhuān)注推進(jìn)先進(jìn)制程，搶食AI、HPC等高價(jià)訂單。

值得注意的是，由于車(chē)用市況不如預(yù)期，加上二線晶圓代工在成熟制程戰(zhàn)場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，接下來(lái)GF或有機(jī)會(huì)開(kāi)啟與英特爾的美系同盟合作。