據(jù)內(nèi)存控制器和PHY IP供應(yīng)商Synopsys介紹，下一代PC DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)（區(qū)別于GDDR6）將在今年內(nèi)完成初始草案，正式的1.0版本規(guī)范或于2025年第二季度內(nèi)完成。DDR6內(nèi)存將從8800MT/s起步，最高可達(dá)DDR6-17660，并且可在未來擴(kuò)展至DDR6-21333。

當(dāng)前DDR5的JEDEC最高速度是DDR5-8400，DDR6-17600帶寬將是它的兩倍。若是同DDR4的初始速度DDR-2133相比，DDR6-21333的帶寬將是前者的10倍。JEDEC暫時(shí)還沒有確定DDR6將采用PAM還是NRZ信號標(biāo)準(zhǔn)。

除DDR6之外還有LPDDR6的消息。針對手機(jī)和輕薄計(jì)算設(shè)備的LPDDR6將從LPDDR6-10677起跳，最高可達(dá)LPDDR6-14400。

LPDDR6將具有2個(gè)12位子通道，并引入多項(xiàng)提升安全和能效表現(xiàn)的新功能。

AMD ZEN6架構(gòu)每個(gè)CCD可提供多達(dá)32個(gè)核心：ZEN 4c和ZEN 5c架構(gòu)的每個(gè)CCD可提供最多16個(gè)核心，而根據(jù)最新的爆料，未來ZEN6架構(gòu)（有可能是ZEN 6c）的CCD可塞入多達(dá)32個(gè)核心。

目前還不清楚32核心的ZEN6 CCD將使用單個(gè)CCX包含全部32核心（所有核心共享L3緩存），還是像Zen 4c那樣分為兩個(gè)CCX（CCX內(nèi)核心共享L3緩存）。更多的核心數(shù)量將受到數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算客戶的歡迎，當(dāng)然個(gè)人電腦用戶也有機(jī)會從中受益。


DDR內(nèi)存將繼續(xù)上漲

在集邦咨詢發(fā)布的最新分析報(bào)告中，預(yù)測了2024年DDR內(nèi)存市場的整體經(jīng)濟(jì)走勢，其中指出，該市場在第一季度將呈現(xiàn)約20%的增長幅度。報(bào)告進(jìn)一步預(yù)計(jì)，進(jìn)入第二季度時(shí)，盡管市場仍將保持增長態(tài)勢，但增長率預(yù)計(jì)將回落至3%至8%的區(qū)間。

此輪價(jià)格上漲主要?dú)w因于兩個(gè)核心因素：一是本年度對內(nèi)存需求的減弱；二是自去年第四季度起，供應(yīng)鏈已實(shí)施連續(xù)且顯著的價(jià)格上調(diào)，因此缺乏持續(xù)上漲的動力。

細(xì)分到不同產(chǎn)品領(lǐng)域，報(bào)告顯示個(gè)人計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)品，在第一季度價(jià)格增幅介于15%-20%，包括DDR4和DDR5兩種規(guī)格在內(nèi)的所有產(chǎn)品線都受到了影響，無一例外。

盡管人工智能（AI）個(gè)人電腦概念當(dāng)前受到市場的熱烈關(guān)注，但由于該行業(yè)仍處于起步階段，短期內(nèi)的市場前景仍需進(jìn)一步觀察，這同樣影響了對于高性能DDR5內(nèi)存的需求動力。

在服務(wù)器領(lǐng)域，內(nèi)存價(jià)格亦出現(xiàn)了15%-20%的上漲。移動設(shè)備端的漲幅更是顯著，達(dá)到了18%-23%。

此外，消費(fèi)電子類產(chǎn)品也經(jīng)歷了10%-15%的價(jià)格上漲，其中DDR3型號的產(chǎn)品漲勢更為溫和，介于8%-13%，而DDR4型號則符合整體的10%-15%的漲幅范圍。

顯卡所用的顯存價(jià)格亦有顯著上升，漲幅為13%-18%，特別是針對2GB GDDR6規(guī)格的需求表現(xiàn)強(qiáng)勁。然而，由于制造商們逐步轉(zhuǎn)向更高利潤率的HBM產(chǎn)品線，對GDDR產(chǎn)品的投資與規(guī)劃顯示出一種保守態(tài)度。

在進(jìn)入第二季度之際，預(yù)期將見到各業(yè)務(wù)領(lǐng)域內(nèi)價(jià)格的上升，增長幅度預(yù)計(jì)介于3至8%之間。然而，值得注意的是，移動端DDR4內(nèi)存的價(jià)格增幅將超出這一平均水平，其預(yù)期的增長率為5%至10%。


中國臺灣內(nèi)存制造商希望 DDR4 能助力 2024 年增長

預(yù)計(jì)DDR4今年將進(jìn)入生命周期的成熟階段，從而帶來銷量和價(jià)格的上漲。因此，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，中國臺灣的內(nèi)存制造商和無晶圓廠公司正更加重視這一市場。市場擔(dān)心韓國制造商在重新集中生產(chǎn)精力時(shí)會停產(chǎn)過時(shí)的 DDR3 產(chǎn)品。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，DDR3 向 DDR4 的轉(zhuǎn)變已經(jīng)開始，中國臺灣內(nèi)存制造商將從 2024 年開始優(yōu)先考慮 DDR4 以提高收入。出貨量和平均銷售價(jià)格 (ASP) 的結(jié)合將有助于他們今年的增長。

消息人士稱，雖然 DRAM 合同價(jià)格穩(wěn)步上漲，但 2024 年上半年利基市場 DDR3 的價(jià)格漲幅仍然相當(dāng)溫和。

南亞科技、華邦電子、晶晨半導(dǎo)體（ESMT）等中國臺灣內(nèi)存公司在 2024 年第一季度仍處于虧損狀態(tài)。

2024 年第一季度，利基內(nèi)存 IC 設(shè)計(jì)公司 ESMT 虧損約 5796 萬新臺幣（179 萬美元）。與上一季度的 5.9 億新臺幣虧損和去年同期的 3.7 億新臺幣虧損相比，這是一個(gè)很大的改善。

ESMT也意識到，2024年中國臺灣廠商將從DDR4獲得新的發(fā)展前景，因?yàn)槿蛑饕獌?nèi)存供應(yīng)商主要集中在DDR5或HBM內(nèi)存上。內(nèi)存產(chǎn)品每兩到三年就會更新一次。

目前，DDR4 已接近 DDR3 階段的過渡，預(yù)計(jì)將推動價(jià)格和銷量的上漲。據(jù) ESMT 預(yù)測，出貨量將大幅攀升，芯片平均售價(jià)也將上漲。