11月8日，中國臺灣新竹縣立體育場，英偉達CEO黃仁勛在臺積電“運動會” 活動現(xiàn)場面向公眾致辭時表示，“沒有臺積電，就沒有英偉達” 。臺積電董事長魏哲家則打趣地表示，黃仁勛此行來臺，“是向臺積電要求更多芯片。”

黃仁勛的感慨，植根于無法替代的技術協(xié)同。如今驅(qū)動全球AI浪潮的英偉達Blackwell系列芯片，從核心制造到先進封裝，全程刻著“臺積電基因”：

• 3nm N3P制程：Blackwell B200 GPU采用臺積電定制化3nm N3P 工藝，通過FinFlex 晶體管架構優(yōu)化，實現(xiàn)15%的晶體管密度提升與20%的功耗降低，單卡計算力突破20PFLOPS，較前代H100實現(xiàn)4倍飛躍。

• CoWoS 封裝：如果說先進制程是芯片的“心臟”，臺積電的CoWoS（芯粒晶圓級系統(tǒng)集成）技術就是“神經(jīng)網(wǎng)絡”。這項占全球高端AI芯片領域80%以上市場份額的先進封裝工藝，實現(xiàn)GPU晶粒與高帶寬內(nèi)存的異構集成，數(shù)據(jù)傳輸速率突破10TB/s，成為Blackwell芯片發(fā)揮極致性能的關鍵。目前，全球尚無第二家供應商能提供同等規(guī)模與精度的CoWoS產(chǎn)能，英偉達的AI芯片封裝需求完全依賴臺積電。

• 從“追隨者”到“共創(chuàng)者”：早年的英偉達曾被視為尖端芯片技術的“晚期采用者”，而今卻成為臺積電最前沿工藝的核心競逐者。雙方已從單純的供需關系，升級為技術協(xié)同開發(fā)伙伴。

這是黃仁勛2025年內(nèi)的第四次訪臺，核心訴求直指“產(chǎn)能”。而且據(jù)《聯(lián)合新聞網(wǎng)》報道，黃仁勛在訪問臺灣時證實，下一代Rubin GPU已經(jīng)進入生產(chǎn)線，“我們已經(jīng)親眼在生產(chǎn)線看到它。”這意味著，從黃仁勛幾天前剛宣布“Rubin樣片已進入實驗室”到如今“進入生產(chǎn)”，進度極為迅速。

黃仁勛還同時指出，當前Blackwell系列GPU需求極其旺盛，且不僅限于GPU，“我們同時在生產(chǎn)CPU、網(wǎng)絡芯片、交換芯片以及與Blackwell相關的其他多種芯片。”所以，他特別感謝臺積電“全力支持相關產(chǎn)能需求”，并不令人感到意外。

目前，英偉達占據(jù)臺積電3nm制程約30%的產(chǎn)能，最新訂單占比已攀升至40%，每月新增3.5萬片晶圓需求，甚至可能擠壓蘋果A19/M5芯片的供應空間。為滿足這一需求，臺積電計劃將3nm月產(chǎn)能從當前的10-11萬片，提升至2025年底的16萬片，增幅近50%。

當然，在全球AI芯片市場規(guī)模突破2000億美元、年增速達30%的背景下，除了英偉達，臺積電的先進制程產(chǎn)能已成全球科技巨頭的必爭之地——AMD、高通也都在爭奪臺積電的3nm與CoWoS產(chǎn)能。而基于當前需求增速的初步預測，2026年臺積電CoWoS封裝產(chǎn)能缺口將達40萬片，2027年進一步擴大至70萬片，即便臺積電規(guī)劃四年內(nèi)擴增四倍產(chǎn)能，仍難追平AI需求的爆發(fā)式增長。

黃仁勛的產(chǎn)能訴求，本質(zhì)是對AI前景的堅定押注。此前他在GTC大會上透露，2025-2026年英偉達數(shù)據(jù)中心業(yè)務累計收入目標直指5000億美元，這一遠超市場預期的目標，必須建立在臺積電穩(wěn)定的產(chǎn)能供給之上。

38年前臺積電初創(chuàng)，32年前英偉達起步。如今，英偉達的訂單支撐臺積電成為全球先進制程的絕對領導者，而臺積電的技術突破，又讓英偉達在AI芯片市場占據(jù)60%的壟斷份額，形成“技術迭代-產(chǎn)能支撐-市場擴張”的循環(huán)。但高度依賴也意味著風險集中。目前英偉達尚無替代供應商能承接3nm制程與CoWoS封裝的核心需求。此外，臺積電亞利桑那工廠高昂的成本溢價，也可能推高終端芯片價格，影響市場競爭力。

責編：Lefeng.shao