旺宏（2337）搭上AI催動(dòng)存儲(chǔ)器升級(jí)大商機(jī)，隨AI服務(wù)器搭載的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）規(guī)格從HBM3E走向更高規(guī)的HBM4 ，由于HBM4堆棧層數(shù)增加，推升編碼型快閃存儲(chǔ)器（NOR Flash）用量激增五成，使得NOR Flash供給開(kāi)始出現(xiàn)緊張狀況，主力供應(yīng)商旺宏傳因此調(diào)高明年首季報(bào)價(jià)三成。

近期存儲(chǔ)器市場(chǎng)火熱，DDR4、DDR5價(jià)格漲翻天，儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）市場(chǎng)一片向好，隨著NOR Flash跟上漲價(jià)潮，更加確立產(chǎn)業(yè)景氣欣欣向榮。

旺宏不回應(yīng)市場(chǎng)傳聞，董事長(zhǎng)吳敏求昨（10）日出席「成電論壇」受訪時(shí)強(qiáng)調(diào)，AI確實(shí)帶動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)向上，旺宏近期也感受到需求與價(jià)格走揚(yáng)，尤其N(xiāo)OR Flash也大量用于服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心，除了現(xiàn)階段的主流產(chǎn)品512Mb，有開(kāi)始出現(xiàn)1Gb至2Gb的高容量需求，對(duì)旺宏有利。

外界以「進(jìn)入超級(jí)循環(huán)周期」來(lái)形容存儲(chǔ)器市場(chǎng)現(xiàn)況，向來(lái)保守的吳敏求認(rèn)為目前仍難斷言。他強(qiáng)調(diào)，價(jià)格確實(shí)在漲，也確實(shí)有缺貨現(xiàn)象，但要說(shuō)缺口多大、能維持多久，現(xiàn)在都言之過(guò)早。

吳敏求分析，過(guò)去數(shù)據(jù)中心以CPU為核心，如今轉(zhuǎn)向GPU架構(gòu)后，運(yùn)算效能大幅提升，各大云端服務(wù)供應(yīng)商（CSP）正展開(kāi)數(shù)據(jù)中心改造計(jì)劃，這波AI熱潮能延續(xù)多久，仍需觀察各家投入AI的動(dòng)能。

吳敏求透露，旺宏NOR Flash產(chǎn)品近期在服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用出現(xiàn)回溫跡象，主要需求集中在512Mb，也有1Gb至2Gb高容量需求，預(yù)期隨著帶寬擴(kuò)大、數(shù)據(jù)傳輸速率提升，未來(lái)3D NOR技術(shù)也將成為關(guān)鍵。

供應(yīng)鏈指出，針對(duì)生成式AI、高效能運(yùn)算（HPC）、高階顯卡和服務(wù)器等需要高效處理大型數(shù)據(jù)集和復(fù)雜運(yùn)算的應(yīng)用，HBM4的特性和功能至關(guān)重要。進(jìn)一步來(lái)看，HBM4是目前HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)階版，提高了數(shù)據(jù)處理速度，同時(shí)保持更高的帶寬、更低的功耗，相較于HBM3，HBM4每個(gè)堆棧的通道數(shù)將增加一倍，因此實(shí)體占用空間更大。

隨著AI服務(wù)器搭載的HBM規(guī)格從HBM3E走向HBM4，堆棧層數(shù)增加的趨勢(shì)下，推升市場(chǎng)對(duì)NOR Flash用量提升約50%，旺宏訂單滿手，將在明年首季調(diào)漲NOR Flash報(bào)價(jià)，漲幅上看三成，為業(yè)績(jī)吞下大補(bǔ)丸。

業(yè)界認(rèn)為，HBM4作為新一代HBM核心升級(jí)，系統(tǒng)性能提升之際，也為NOR Flash帶來(lái)結(jié)構(gòu)性需求機(jī)會(huì)，旺宏作為全球主力NOR Flash供應(yīng)商，直接受惠。