據(jù)中國光谷消息，近日，國內(nèi)首條基于12寸40nm CMOS工藝線的全國產(chǎn)化硅光PDK（工藝設(shè)計(jì)套件）、TDK（測試設(shè)計(jì)套件）及ADK（封裝設(shè)計(jì)套件）流片服務(wù)平臺(tái)正式在光谷投用，該平臺(tái)由國家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）建設(shè)運(yùn)營，標(biāo)志著光谷企業(yè)在硅光領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)又一關(guān)鍵突破。

（國家信息光電子創(chuàng)新中心硅光芯片，來源：中國光谷）

國家信息光電子創(chuàng)新中心2018年在光谷揭牌，承載解決我國信息光電子制造業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)協(xié)同研發(fā)和首次商業(yè)化應(yīng)用的戰(zhàn)略任務(wù)。7年多來，已服務(wù)支撐300余家單位，完成800多次訂單，并突破了1.6T硅光互連芯片、2T芯粒、145GHz強(qiáng)度調(diào)制器等關(guān)鍵技術(shù)。

東湖高新區(qū)前瞻布局，支持國家信息光電子創(chuàng)新中心建設(shè)12寸硅光芯片開發(fā)服務(wù)平臺(tái)，通過提供穩(wěn)定、開放、完善的MPW（多項(xiàng)目晶圓）流片服務(wù)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)從“單點(diǎn)突破”向“集群化、規(guī)模化”發(fā)展。該平臺(tái)創(chuàng)新構(gòu)建硅光MPW服務(wù)模式，通過將多個(gè)芯片設(shè)計(jì)集成于同一晶圓流片，實(shí)現(xiàn)成本分?jǐn)偅蠓档脱邪l(fā)門檻。平臺(tái)基于40nm制程的硅光PDK1.0性能總體達(dá)到商用要求，其加工精度、波導(dǎo)損耗、光耦合效率等指標(biāo)達(dá)國際先進(jìn)水平。除了PDK外，平臺(tái)還集成了TDK和ADK，可提供芯片從集成設(shè)計(jì)到封裝驗(yàn)證的全流程支撐，可滿足科研成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)品研制中的快速迭代需求，助力項(xiàng)目加速落地。

據(jù)悉，國產(chǎn)硅光芯片流片所面臨的挑戰(zhàn)，是一個(gè)環(huán)環(huán)相扣的系統(tǒng)性難題。在共享經(jīng)濟(jì)日益成熟的今天，多項(xiàng)目晶圓（MPW）服務(wù)，正成為破解當(dāng)前國產(chǎn)硅光流片困局最現(xiàn)實(shí)、也最關(guān)鍵的策略之一。MPW通過將多個(gè)工藝兼容的芯片設(shè)計(jì)集成于同一晶圓上進(jìn)行流片，實(shí)現(xiàn)成本分?jǐn)偅蠓档椭行∑髽I(yè)和科研機(jī)構(gòu)的研發(fā)門檻。

對(duì)高校和初創(chuàng)公司而言，MPW將原本高昂的掩膜版及晶圓制造成本，分?jǐn)偨o數(shù)十個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目，使單次流片成本降至原來的十分之一甚至更低，有力支撐了科研與小規(guī)模創(chuàng)新的持續(xù)開展。對(duì)設(shè)計(jì)公司而言，MPW使其能以更低成本進(jìn)行多輪設(shè)計(jì)迭代，快速驗(yàn)證設(shè)計(jì)理念與IP模塊，加速技術(shù)成熟，從而更敢于投入前沿探索。而代工廠也在處理多樣化設(shè)計(jì)的過程中，積累起寶貴的工藝數(shù)據(jù)，持續(xù)反哺PDK的完善與工藝的穩(wěn)定，形成“流片越多、工藝越成熟”的良性循環(huán)。