中商情報(bào)網(wǎng)訊：高帶寬內(nèi)存（HBM）是一種基于3D堆棧工藝的圖形DDR類型DRAM技術(shù)，通過TSV（硅通孔）和芯片堆疊架構(gòu)實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸與低能耗特性。目前，中國企業(yè)已經(jīng)從材料、設(shè)備到芯片，撕開了一道口子，國產(chǎn)化率有望提升。

收入金額

隨著生成式人工智能（AI）的持續(xù)火爆，市場對于高性能AI芯片的需求，帶動(dòng)了此類AI芯片內(nèi)部所集成的高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求爆發(fā)。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年中國高寬帶存儲器（HBM）行業(yè)前景與市場趨勢洞察專題研究報(bào)告》顯示，2024年全球HBM收入金額約為170億美元。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，到2025年全球HBM收入金額有望超300億美元。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

位出貨量

中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年中國高寬帶存儲器（HBM）行業(yè)前景與市場趨勢洞察專題研究報(bào)告》顯示，HBM從2023年的1.5B GB，到2024年的2.8B GB。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2025年全球HBM位出貨量將達(dá)4.1B GB。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理