據報道，SK 海力士攜手東進半導體，開展高性能 EUV 光刻膠的聯合研發，將替代此前由日本 JSR、東京應化工業（TOK）等企業供應的 EUV 光刻膠，同時要開發出性能超越現有產品的新型材料。

2023 年，SK 海力士曾通過旗下子公司 SK Materials Performance 實現了 EUV 光刻膠的國產化，但彼時量產的產品為低規格型號。用于核心半導體層的高性能 EUV 光刻膠，長期以來 100% 依賴日本進口。

SK 海力士推進 EUV 光刻膠研發，一方面是為了最大化利用單臺價值 2000 億韓元的 EUV 光刻設備，另一方面是為了應對 DRAM 芯片中 EUV 光刻層需求的快速增長。

隨著 DRAM 芯片中 EUV 工藝的應用占比持續提升，光刻膠的研發必要性愈發凸顯。不同世代 DRAM 的 EUV 光刻層數量呈遞增趨勢：10 納米級 4 代（1a）為 1 層、5 代（1b）為 3 層、6 代（1c）為 5 層、7 代（1d）則達 7 層，10 納米以下制程產品的 EUV 光刻層數量預計還將進一步增加。