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麒麟9030突圍之路:采用中芯國際改進版7納米工藝

2025-12-15 來源:電子工程專輯
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關(guān)鍵詞: 華為Mate 80 麒麟9030 中芯國際 N+3制程

近日,加拿大研究機構(gòu)TechInsights發(fā)布報告稱,華為最新旗艦手機Mate 80 Pro Max所搭載的麒麟9030處理器,采用中芯國際(SMIC)改進版7納米工藝——“N+3”制程制造。

自2019年被美國列入“實體清單”以來,華為無法再通過臺積電等國際代工廠生產(chǎn)先進芯片,其高端手機業(yè)務(wù)一度陷入停滯。

然而,從2023年Mate 60系列搭載的麒麟9000s(基于中芯國際N+2工藝),到如今Mate 80系列的麒麟9030(N+3工藝),華為與中芯國際正以“小步快跑”的方式,逐步逼近國際主流水平。

TechInsights評價稱,麒麟9030代表了“中國迄今最為先進的本土芯片制造技術(shù)”,是一次“漸進但實質(zhì)性的工藝突破”。

華為官方披露,Mate 80 Pro Max相較前代Mate 70 Pro+(搭載麒麟9020)整體性能提升約42%,接近翻倍。這一躍升遠(yuǎn)超同制程節(jié)點通常所能帶來的優(yōu)化幅度,引發(fā)業(yè)界對中芯國際工藝真實水平的重新評估。

TechInsights對麒麟9030 Pro芯片進行了結(jié)構(gòu)和尺寸分析,揭示了一個重要信息。

報告指出:”分析發(fā)現(xiàn),麒麟9030采用的是中芯國際的‘N+3’工藝,其先進程度高于麒麟9020。這標(biāo)志著一次重大的代際跨越。此前,麒麟9020及更早的芯片采用的是中芯國際‘N+2’工藝,即7納米級制程節(jié)點?!?/span>

盡管仍無法與臺積電或三星的5納米甚至3納米工藝在晶體管密度、能效比上直接對標(biāo),但在設(shè)備受限、無法使用EUV光刻機的極端條件下,中芯國際通過多重曝光、工藝微調(diào)和設(shè)計協(xié)同優(yōu)化等手段,實現(xiàn)了令人矚目的工程突破。

受限于美國出口管制,中芯國際無法采購阿斯麥(ASML)的極紫外(EUV)光刻機及應(yīng)用材料(Applied Materials)等公司的尖端沉積與刻蝕設(shè)備。這導(dǎo)致其先進制程良品率偏低、制造成本高昂,產(chǎn)能也難以大規(guī)模擴張。

TechInsights指出,當(dāng)前中芯國際的7納米級工藝在量產(chǎn)效率和經(jīng)濟性上,尚難與國際巨頭競爭。但對華為而言,這已足夠支撐其高端產(chǎn)品線的戰(zhàn)略回歸——在“可用”與“自主”之間,優(yōu)先確保供應(yīng)鏈安全。

值得一提的是,TechInsights因頻繁披露中國半導(dǎo)體進展,已于2024年10月被中國商務(wù)部列入“不可靠實體清單”,理由是其行為“嚴(yán)重?fù)p害中國國家主權(quán)、安全和發(fā)展利益”。


責(zé)編:Jimmy.zhang