中國臺灣當局擔心臺積電進軍美國市場會削弱中國臺灣在半導體領域的領先地位，因此正在考慮制定一項新的出口規則，僅允許這家全球最大的晶圓代工廠出口落后其領先生產節點兩代的技術。如果這項政策實施，可能會減緩臺積電在美國的擴張步伐，因為該公司目前正積極在美國建設先進的晶圓廠。

這項新出口政策的核心是“N-2”規則，該規則僅允許在海外部署落后中國臺灣領先技術兩代的工藝技術。此前，中國臺灣當局一直堅持“N-1”規則，允許臺積電出口所有落后領先制造工藝至少一代的技術。新的框架則更為嚴格。根據不同的技術世代劃分標準，臺積電可能只能出口比其最先進技術落后2~4年的制程節點。

中國臺灣科技委員會成員林發成表示，按照這種劃分方式，如果臺積電在島內研發出1.2nm或1.4nm級別的制程工藝，那么只能允許1.6nm級別及以上的工藝產品才能出口到海外。

目前，臺積電亞利桑那州Fab 21一期工廠能夠生產N4/N5制程節點（4nm/5nm，屬于同一代）的芯片。在國內，臺積電擁有多座已全面投產的晶圓廠，具備3nm級別制程能力（N3B、N3E、N3P等），并且即將開始大規模生產N2制程節點（2nm）的芯片。從形式上看，臺積電的Fab 21一期工廠已經符合“N-2”規則。然而，一旦臺積電于2027年在Fab 21二期開始生產3nm工藝芯片，該工廠將不再符合“N-2”規則，因為N3工藝在技術上僅比N2/N2P/A16工藝落后一代。盡管A16（1.6nm）工藝是帶有背面供電網絡的N2P（增強版2nm）工藝，但如果將A16工藝視為全新一代工藝，那么Fab 21二期將符合新的高科技出口框架。

林先生還強調，臺積電的大部分研發人員仍然留在中國臺灣，并指出公司的研發布局符合要求。實際上，這種工程師和科學家的集中化確保了未來的工藝開發能夠扎根于中國臺灣，即使公司在海外建設產能和研發中心。林先生還強調，半導體行業所有合格人員都受到監管，這使得知識產權和硬件的保護范圍擴展到人力資本。

此外，中國臺灣經濟部門工業發展局副局長鄒宇新表示，臺積電未來在美國的任何投資都將根據現行法律進行審查，超過一定門檻的項目必須由中國臺灣經濟部門投資委員會進行審查。（校對/趙月）