據(jù)一位知情人士周一（1月26日）透露，三星電子計劃下月開始生產(chǎn)其下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，即HBM4，并供應(yīng)給英偉達(dá)。

去年早些時候，由于供應(yīng)延遲，三星的盈利和股價受到?jīng)_擊，該公司一直在努力追趕其同城競爭對手SK海力士。SK海力士是英偉達(dá)人工智能加速器關(guān)鍵先進(jìn)內(nèi)存芯片的主要供應(yīng)商。

早盤交易中，三星股價上漲2.2%。

該知情人士拒絕透露更多細(xì)節(jié)，例如三星計劃向英偉達(dá)供應(yīng)多少芯片。

三星發(fā)言人拒絕置評，英偉達(dá)方面暫未對此置評。

韓國《韓國經(jīng)濟日報》周一報道稱，三星已通過英偉達(dá)和AMD的HBM4認(rèn)證測試，并將于下月開始向英偉達(dá)供貨。該報道援引了芯片行業(yè)消息人士的話。

SK海力士在10月份表示，已與主要客戶完成了明年的HBM供應(yīng)談判。

SK海力士一位高管本月早些時候表示，該公司計劃下月開始在韓國清州新建的M15X晶圓廠部署硅晶圓，用于生產(chǎn)HBM芯片。但該高管并未詳細(xì)說明HBM4是否會在初期生產(chǎn)階段推出。

英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛本月初表示，該公司的下一代芯片Vera Rubin平臺已“全面投產(chǎn)”，這家美國公司正準(zhǔn)備在今年晚些時候推出這些芯片，這些芯片將與HBM4芯片配套使用。（校對/趙月）