在新能源、工業控制等領域飛速發展的今天，功率器件的性能直接決定了系統的效率、可靠性與小型化水平。傳統硅基器件逐漸難以滿足高頻、高溫、高壓場景下的嚴苛需求，而碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的核心代表，正以其卓越的物理特性重塑功率電子行業格局。

杰盛微半導體深耕功率器件領域多年，憑借深厚的技術積累與精準的市場洞察，重磅推出SC4D50120H-JSM 碳化硅肖特基二極管。這款產品集零恢復電流、高阻斷電壓、寬溫工作等多重優勢于一身，為各類高端電力電子設備提供了高效可靠的解決方案，堪稱功率系統升級的 “性能利器”。

一、產品核心亮點：七大特性直擊行業痛點

         SC4D50120H-JSM 的脫穎而出，源于其對功率器件核心需求的精準把控，七大核心特性從效率、可靠性、適配性等維度全面升級，重新定義行業標準。

1. 零恢復電流設計：徹底告別開關損耗

作為多數載流子器件，該二極管實現零正反向恢復電流，從根源上消除了傳統硅二極管開關過程中產生的恢復電荷與開關損耗。這一特性不僅能大幅提升系統能量轉換效率，還能減少電磁干擾（EMI），讓設備運行更高效、更穩定，尤其適配高頻工況下的效率提升需求。

2. 高阻斷電壓 + 高頻兼容：適配高壓復雜場景

具備1200V 高阻斷電壓，可直接滿足光伏逆變器、工業電源等高壓應用需求，無需額外串聯器件，簡化電路設計。同時支持高頻工作特性，配合零開關損耗優勢，能大幅提升系統開關頻率，縮小濾波電容、電感等無源器件體積，助力設備向小型化、輕量化發展。

3. 正溫度系數 + 寬溫工作：穩定適配極端環境

正向電壓（VF）具備正溫度系數，使多個器件并聯時可自動實現電流均衡分配，徹底避免熱失控風險，無需復雜均流電路，降低大功率系統設計難度。同時開關特性不受溫度影響，工作結溫與存儲溫度均覆蓋 **-55℃~175℃** 寬范圍，無論是嚴寒戶外還是高溫設備內部，都能保持穩定性能。

4. 高浪涌電流 + 雪崩測試：強化極端工況可靠性

擁有高浪涌電流耐受能力，非重復正向浪涌電流可達 350A（25℃、10ms 半正弦脈沖），能從容應對設備啟動沖擊、負載突變等突發狀況。產品經過100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 269mJ，在電壓擊穿等極端工況下仍能保障安全運行，為系統提供雙重防護。

二、多元應用場景：賦能全行業效率升級

憑借卓越的綜合性能，SC4D50120H-JSM 的應用場景覆蓋新能源、工業控制、電源轉換等核心領域，成為各行業系統升級的 “通用型利器”。

1. 新能源領域：光伏 / 風電逆變器的效率引擎

在光伏電站、風電場中，逆變器的能量轉換效率直接影響發電量。該二極管的零開關損耗、高阻斷電壓特性，能將逆變器轉換效率提升 3%~5%，配合寬溫工作能力，可適應戶外 - 55℃~175℃的極端溫差，保障新能源發電系統全年穩定運行。

2. 工業控制：伺服驅動器的精準控制

核心伺服驅動器對響應速度與可靠性要求極高，SC4D50120H-JSM 的高頻工作特性與快速開關能力，能提升伺服系統動態響應速度，實現電機的精準定位與調速；高浪涌電流耐受能力與寬溫特性，可應對工業車間的復雜電磁環境與溫度波動，保障生產線連續運行。

3. 電源轉換：AC/DC、DC/DC 轉換器的小型化關鍵

各類電子設備的電源轉換器面臨 “高效 + 小型化” 雙重需求。該二極管能顯著降低轉換器的開關損耗與導通損耗，助力產品達到能效等級 VI 標準；高頻特性可縮小電源體積 30% 以上，適配消費電子、工業電源、充電樁等對空間要求嚴苛的場景。

4. 應急保障：不間斷電源（UPS）的可靠后盾

UPS 作為關鍵設備的 “電力安全網”，需在市電中斷時快速響應、穩定供電。SC4D50120H-JSM 的零恢復電流特性減少了切換過程中的能量損耗，100% 雪崩測試驗證與寬溫工作能力，確保 UPS 在突發狀況下無故障運行，守護數據中心、醫療設備、金融終端等關鍵場景的電力安全。

三、關鍵參數：硬核性能，數據說話

（1）最大額定值

（2）電氣特性（典型值 / 最大值）

（3）熱學特性

四、硬核參數解析：數據見證卓越性能

如果說特性是產品的 “設計靈魂”，那么關鍵參數就是其 “性能底氣”。SC4D50120H-JSM 的各項參數經過嚴苛優化，全面覆蓋中高端應用的嚴苛要求。

1. 電壓與電流性能：高壓大電流雙重保障

• 峰值重復反向電壓（VRRM）：1200V，直流阻斷電壓（VDC）同步達到 1200V，高壓穩定性拉滿；

• 連續正向電流（I）：25℃時可達 112A，135℃高溫下仍保持 63A，140℃時為 50A，高溫載流能力突出；

• 浪涌電流表現：重復峰值正向浪涌電流 25℃時 270A、110℃時 230A，非重復正向浪涌電流 350A，抗沖擊能力優異。

2. 功耗與熱學特性：高效散熱 + 低損耗

• 總功耗（P0）：25℃時 600W，110℃時 340W，功率承載能力強勁；

• 結殼熱阻（Rth (j-c)）：僅 0.25℃/W，散熱效率遠超行業平均水平，確保高功率密度場景下穩定運行；

• 低導通損耗：40A 正向電流、25℃條件下，正向電壓（VF）典型值僅 1.45V，最大值不超過 1.75V，能量損耗降至最低。

3. 電氣穩定性：低漏電流 + 精準電容控

• 制反向電流（IR）：1200V 反向電壓下，25℃時典型值僅 6μA，175℃時為 99μA，漏電流極小，高壓穩定性出色；

• 電容特性：總電容電荷（QC）在 800V、25℃時為 211nC，總電容（C）隨反向電壓升高精準下降，1MHz 頻率下 800V 時僅 135pF，適配高頻開關場景。

五、品質保障與訂購信息：選擇杰盛微，選擇放心

1. 嚴苛品質管控杰盛微始終以 “品質至上” 為核心，SC4D50120H-JSM 從芯片設計、封裝測試到成品出廠，每一道工序都經過 ISO 標準嚴苛檢驗，確保產品良率與可靠性。產品采用 TO-247-2 封裝，具備優異的散熱性能與機械強度，適配工業級安裝需求。

2. 便捷訂購與交付

• 產品型號：SC4D50120H-JSM

• 器件標記：SC4D50120H

• 工作溫度：-55℃~175℃MSL

• 等級：1 級（無需烘烤即可使用）

• 包裝方式：管裝，450 個 / 管

• 環保標準：完全符合 RoHS 要求，響應綠色制造號召

以技術創新驅動產業升級

在第三代半導體產業加速滲透的今天，SC4D50120H-JSM 的推出不僅是杰盛微技術實力的彰顯，更是對功率電子行業需求的精準回應。這款產品以零恢復電流、高可靠性、寬應用場景等核心優勢，打破了傳統硅基器件的性能瓶頸，為新能源、工業控制、電源轉換等領域的技術升級提供了強大動力。

杰盛微半導體將始終堅守 “技術創新、客戶至上” 的理念，持續深耕碳化硅功率器件領域，未來將推出更多覆蓋不同電壓、電流等級的優質產品，與廣大客戶攜手共進，助力中國功率電子產業向高端化、高效化、綠色化方向邁進。相信 SC4D50120H-JSM 將成為更多企業的優選功率器件，在各類高端設備中綻放光彩，共同書寫功率電子行業的創新篇章！