美國打壓長江存儲(chǔ)的目標(biāo)實(shí)現(xiàn)?美光、三星等從落后,變成領(lǐng)先
關(guān)鍵詞: 三星 美光長江存儲(chǔ)
近日,三大存儲(chǔ)巨頭SK海力士、美光、三星先后表示,自己的300+層的4D NAND閃存預(yù)計(jì)很快就會(huì)面市,與上一代的232層3D NAND閃存相比,存儲(chǔ)密度更高,同時(shí)讀寫速度也更快,功耗降低,延遲降低。
對(duì)于存儲(chǔ)芯片而言,存儲(chǔ)密度更高,代表著單位體積內(nèi),容量增大,成本降低。而讀寫速度更快,意味著性能提升。

這意味著一旦新款的300+的4D NAND閃存上市,對(duì)于市場(chǎng)而言,將會(huì)是一個(gè)大升級(jí),其它沒能及時(shí)推出300+層閃存的廠商,將沒有競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)。
拿SK海力士來舉例,他說自己的321層4D NAND閃存,相比于上一代232層的3D閃存,單位容量提升了41%,生產(chǎn)效率也提升了59%,算下來單位容量成本降了至少50%。
這讓只能生產(chǎn)老款232層的3D NAND閃存怎么競(jìng)爭?成本降了50%啊,價(jià)格優(yōu)勢(shì)太明顯了。

這其中對(duì)誰的影響最大?估計(jì)就是中國存儲(chǔ)廠商長江存儲(chǔ)了,你想一想,如果三星、SK海力士、美光們的成本降了50%,長江存儲(chǔ)怎么競(jìng)爭呢?跟著降50%?肯定是虧,不降價(jià),則市場(chǎng)會(huì)被搶,真的是左右為難。
可能很多人會(huì)說,那長江存儲(chǔ)也可以努力研發(fā)300+層的技術(shù)啊,技術(shù)上追上,就不擔(dān)心了。
但是,問題了,從去年開始,美國將長江存儲(chǔ)拉入了黑名單,對(duì)長江存儲(chǔ)進(jìn)行了打壓,目的就是希望遏制長江存儲(chǔ)的發(fā)展,特別是不允許他研發(fā)出新的技術(shù)。

為什么美國要打壓長江存儲(chǔ),原因在于長江存儲(chǔ)雖然成立時(shí)間短,但進(jìn)步可是全球第一,6年時(shí)間,就從0突破,成為全球首家量產(chǎn)232層3D NAND閃存的廠商。
比三星、SK海力士、美光還領(lǐng)先,一旦讓長江存儲(chǔ)這么發(fā)展下去,估計(jì)中國的存儲(chǔ)芯片就要全部自給,不需要再進(jìn)口了,不僅如此,長江存儲(chǔ)全球領(lǐng)先之后,還將威脅到美光、三星、SK海力士等的地位。
于是美國出手,對(duì)長江存儲(chǔ)進(jìn)行制裁,不將先進(jìn)的設(shè)備、技術(shù)等出口給長江存儲(chǔ),甚至連已經(jīng)出口的先進(jìn)設(shè)備、技術(shù)等,都要受管制。

現(xiàn)在的結(jié)果其實(shí)也比較明顯,那就是在打壓之后,長江存儲(chǔ)受到了影響,再也無法保持領(lǐng)先地位了,明明全球第一家量產(chǎn)232層3D NAND芯片,但在最新的300+層的4D閃存上,卻落后了。
而這也是美國想要看到的,美國希望繼續(xù)由美光、三星、SK海力士來引領(lǐng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),美光是美國的,三星、SK海力士是韓國的,但其實(shí)也是美國的小弟。這樣中國就還需要美國的存儲(chǔ)芯片,還得依賴美國,那么美國就可以繼續(xù)保誰自己的芯片霸權(quán)。
可見,依賴國外技術(shù)的突破,真的是空中樓閣啊,還得國產(chǎn)供應(yīng)鏈發(fā)展起來,獨(dú)立自主突破才真正可控。