近日，三大存儲(chǔ)巨頭SK海力士、美光、三星先后表示，自己的300+層的4D NAND閃存預(yù)計(jì)很快就會(huì)面市，與上一代的232層3D NAND閃存相比，存儲(chǔ)密度更高，同時(shí)讀寫速度也更快，功耗降低，延遲降低。

對(duì)于存儲(chǔ)芯片而言，存儲(chǔ)密度更高，代表著單位體積內(nèi)，容量增大，成本降低。而讀寫速度更快，意味著性能提升。

這意味著一旦新款的300+的4D NAND閃存上市，對(duì)于市場(chǎng)而言，將會(huì)是一個(gè)大升級(jí)，其它沒能及時(shí)推出300+層閃存的廠商，將沒有競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)。

拿SK海力士來舉例，他說自己的321層4D NAND閃存，相比于上一代232層的3D閃存，單位容量提升了41%，生產(chǎn)效率也提升了59%，算下來單位容量成本降了至少50%。

這讓只能生產(chǎn)老款232層的3D NAND閃存怎么競(jìng)爭？成本降了50%啊，價(jià)格優(yōu)勢(shì)太明顯了。

這其中對(duì)誰的影響最大？估計(jì)就是中國存儲(chǔ)廠商長江存儲(chǔ)了，你想一想，如果三星、SK海力士、美光們的成本降了50%，長江存儲(chǔ)怎么競(jìng)爭呢？跟著降50%？肯定是虧，不降價(jià)，則市場(chǎng)會(huì)被搶，真的是左右為難。

可能很多人會(huì)說，那長江存儲(chǔ)也可以努力研發(fā)300+層的技術(shù)啊，技術(shù)上追上，就不擔(dān)心了。

但是，問題了，從去年開始，美國將長江存儲(chǔ)拉入了黑名單，對(duì)長江存儲(chǔ)進(jìn)行了打壓，目的就是希望遏制長江存儲(chǔ)的發(fā)展，特別是不允許他研發(fā)出新的技術(shù)。

為什么美國要打壓長江存儲(chǔ)，原因在于長江存儲(chǔ)雖然成立時(shí)間短，但進(jìn)步可是全球第一，6年時(shí)間，就從0突破，成為全球首家量產(chǎn)232層3D NAND閃存的廠商。

比三星、SK海力士、美光還領(lǐng)先，一旦讓長江存儲(chǔ)這么發(fā)展下去，估計(jì)中國的存儲(chǔ)芯片就要全部自給，不需要再進(jìn)口了，不僅如此，長江存儲(chǔ)全球領(lǐng)先之后，還將威脅到美光、三星、SK海力士等的地位。

于是美國出手，對(duì)長江存儲(chǔ)進(jìn)行制裁，不將先進(jìn)的設(shè)備、技術(shù)等出口給長江存儲(chǔ)，甚至連已經(jīng)出口的先進(jìn)設(shè)備、技術(shù)等，都要受管制。

現(xiàn)在的結(jié)果其實(shí)也比較明顯，那就是在打壓之后，長江存儲(chǔ)受到了影響，再也無法保持領(lǐng)先地位了，明明全球第一家量產(chǎn)232層3D NAND芯片，但在最新的300+層的4D閃存上，卻落后了。

而這也是美國想要看到的，美國希望繼續(xù)由美光、三星、SK海力士來引領(lǐng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，美光是美國的，三星、SK海力士是韓國的，但其實(shí)也是美國的小弟。這樣中國就還需要美國的存儲(chǔ)芯片，還得依賴美國，那么美國就可以繼續(xù)保誰自己的芯片霸權(quán)。

可見，依賴國外技術(shù)的突破，真的是空中樓閣啊，還得國產(chǎn)供應(yīng)鏈發(fā)展起來，獨(dú)立自主突破才真正可控。