存儲市場由DRAM和 NAND Flash主導(dǎo)，三巨頭擁有絕對的領(lǐng)先優(yōu)勢

按是否需要持續(xù)通電以維持?jǐn)?shù)據(jù)，存儲器可分為易失性存儲（RAM）和非易失性存儲（ROM）。其中易失性存儲常見的有動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），通常和CPU一起使用，為CPU提供運算時中間數(shù)據(jù)的存儲,目前市場占比約為56%；而非易失性存儲常見的有閃存（NAND Flash）等，主要用于大容量數(shù)據(jù)存儲，斷電數(shù)據(jù)不丟失，目前市場占比約為40%。

資料來源: Yole

具體來看，DRAM可分為DDR、LPDDR、GDDR和傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM等，其中DDR和LPDDR兩者合計占比約為90%，是DRAM領(lǐng)域應(yīng)用最廣的細(xì)分產(chǎn)品。從應(yīng)用來看，LPDDR主要與嵌入式存儲配合應(yīng)用于智能手機、平板等消費電子產(chǎn)品中，而DDR主要應(yīng)用于服務(wù)器、個人電腦等領(lǐng)域。

競爭格局方面，在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士和美光三大廠商2023年市場占有率合計已超過95%，基本上在該領(lǐng)域形成了絕對的壟斷優(yōu)勢。國內(nèi)DRAM晶圓廠商主要為合肥長鑫，目前正處于快速發(fā)展階段。

而在技術(shù)路線方上，行業(yè)龍頭三星電子于2014 年率先實現(xiàn) 20 納米制程量產(chǎn)（ 4GbDDR3 DRAM ），將技術(shù)路線競爭引入 20nm 時代，此后 DRAM 制程大約每兩年實現(xiàn)一次突破，從 1Xnm 16 nm-19 nm ）到 1Ynm 14 nm-16 nm ）到 1Znm12-14nm ）。2021 年 1 月，美光科技率先宣布量產(chǎn) 1αnm （接近 10 nm DRAM產(chǎn)品，主流原廠開始進入 1αnm 制程階段。目前行業(yè)內(nèi)采用10nm級別的第四代制程1α（1-alpha）已逐漸成為業(yè)內(nèi)主流，并且正在向1β（1-beta）過渡。

資料來源：CFM閃存市場

NAND Flash則主要包括嵌入式存儲（用于電子移動終端低功耗場景）、SSD固態(tài)硬盤（大容量存儲場景）、移動存儲（便攜式存儲場景）等。其中，嵌入式存儲與SSD固態(tài)硬盤是NAND Flash的主要產(chǎn)品類別，市場規(guī)模占NAND Flash市場85%以上。NAND Flash中，嵌入式存儲市場主要受智能手機、平板等消費電子行業(yè)驅(qū)動，固態(tài)硬盤下游市場主要包括服務(wù)器、個人電腦，移動存儲廣泛應(yīng)用于各類消費者領(lǐng)域。

競爭格局方面，NAND Flash的全球市場也高度集中。據(jù)CFM閃存市場的數(shù)據(jù)，2023年全球NAND Flash市場規(guī)由三星電子、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光科技五家公司主導(dǎo)，市占率分別為30.2%、20.0%、18.3%、15.1%、11.1%。國產(chǎn)廠商長江存儲在國產(chǎn)替代下也發(fā)展迅猛，正在市場份額與技術(shù)上奮起直追。

而在技術(shù)路線上，主要存儲原廠在激烈競爭中不斷提升NAND Flash 存儲密度。從三星電子2013年率先開發(fā)出可以商業(yè)化應(yīng)用的24層3D NAND開始，2022年3D NAND高端先進制程已經(jīng)進入232層階段，部分廠商在2023年甚至開始展望1000層以后的存儲形態(tài)，這將繼續(xù)推動著存儲未來向大容量發(fā)展的進程。

除了DRAM和NAND Flash外，存儲行業(yè)還包括NOR Flash、存儲主控等細(xì)分市場。其中，NOR Flash由于具備隨機存儲、讀取速度快、芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）等特點，在小容量場景上具有成本效益，目前行業(yè)內(nèi)主要玩家有華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新、賽普拉斯和美光等；而存儲主控芯片能夠為存儲器起到中樞控制和管理調(diào)度的作用，是存儲顆粒快速商業(yè)化落地的關(guān)鍵因素，目前該市場主要由慧榮科技、群聯(lián)電子、點序科技、美滿電子等第三方存儲控制芯片公司主導(dǎo)。

供給減少疊加需求回暖，存儲價格迎來觸底反彈

作為電子產(chǎn)品中普遍使用的器件，存儲價格波動較為敏感。不管是上游晶圓供給、技術(shù)迭代、市場競爭格局，還是下游市場需求變化、全球貿(mào)易環(huán)境變動等因素都是存儲器產(chǎn)品價格波動的重要因素。

由于受到消費電子需求疲軟、通貨膨脹及經(jīng)濟不景氣的影響，2022年全球存儲市場規(guī)模為1391.87億美元，同比下跌了15%，結(jié)束了連續(xù)兩年的雙位數(shù)增長。市場的持續(xù)下行，也讓存儲大廠的業(yè)績不斷承壓。據(jù)CFM閃存市場統(tǒng)計，從去年Q4到今年Q1，三星、美光、海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等國際原廠凈虧損已經(jīng)超120億美元，相當(dāng)于2022年全球存儲市場9%的市場規(guī)模。

資料來源：CFM閃存市場

在面對庫存高漲、普遍利潤虧損的情形下，基于對未來大部分市場需求不明朗的預(yù)期，各大原廠也在減少產(chǎn)出、降低投資、放緩技術(shù)升級等方面采取了一系列相應(yīng)的措施，以試圖穩(wěn)定價格的向下波動。

產(chǎn)能方面，從去年Q4開始，存儲原廠相繼啟動減產(chǎn)。其中三星已加大NAND閃存減產(chǎn)力度，公司已在上半年將NAND閃存產(chǎn)量削減了20%，預(yù)計到2023年底減產(chǎn)幅度將達(dá)50%；SK海力士已經(jīng)在2022Q4減少部分低利潤及高庫存產(chǎn)品的晶圓產(chǎn)能，效果已經(jīng)在Q1逐漸顯現(xiàn)。此外，公司也在盡量減少不必要的投資，使2023整體資本支出將同比減少超50%；美光在 2023 年資本支出下降 42%，近期將DRAM和NAND晶圓開工率進一步減少至接近30%，預(yù)計減產(chǎn)將持續(xù)到2024年。

資料來源：芯八哥整理

原廠的大幅減產(chǎn)，讓此前存儲行業(yè)高企的庫存大幅度減少。其中，三星的庫存已經(jīng)從最高的28周最近已降至18周，有達(dá)到頂點后下降的趨勢。據(jù)悉，三星已制定生產(chǎn)計劃，目標(biāo)年底實現(xiàn)NAND6-8周的庫存正常化；美光在該季度末庫存金額為83.87億美元，庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為170天，上季度為168天，已經(jīng)在高點235天的基礎(chǔ)上大幅降低。美光稱，已經(jīng)看到庫存天數(shù)目前有所改善，預(yù)計到明年3月時（進入美光2024財年下半年），將實現(xiàn)盈利的好轉(zhuǎn)。

資料來源：美光

需求方面，作為存儲行業(yè)的三大主力應(yīng)用，目前手機、PC、服務(wù)器三大市場合計占比在80%以上。具體來看，根據(jù)CFM的數(shù)據(jù)，2022年NAND Flash主要以應(yīng)用于手機移動終端市場的嵌入式存儲產(chǎn)品、應(yīng)用于PC的cSSD以及應(yīng)用于服務(wù)器市場的eSSD產(chǎn)品為主，分別占比34%、22%和26%；DRAM的主要應(yīng)用市場也是在手機、PC和服務(wù)器，分別占比35%、16%和33%。

資料來源：CFM閃存市場

目前，以智能手機為代表的手機存儲需求復(fù)蘇依舊乏力。根據(jù) Canalys數(shù)據(jù)，2023Q2全球智能手機出貨量達(dá)2.58億部，同比下降 10%，但同比跌幅環(huán)比略有收窄，市場衰退有所放緩。盡管終端銷量來看尚未回暖，但是經(jīng)過長達(dá)半年的庫存消耗，目前國產(chǎn)手機廠商庫存水位已經(jīng)大幅下降。此外，由于下半年蘋果、華為等新機發(fā)售，尤其旗艦產(chǎn)品對LPDDR5需求增加，加上由于存儲跌價導(dǎo)致的存儲容量增長將推動下半年產(chǎn)品售價有所改善。

資料來源：芯八哥整理

至于PC市場，在整體出貨量下滑預(yù)期下，整體波動不大，單位存儲容量也沒有明顯提升，在原廠強烈的盼漲心態(tài)下，預(yù)計Q4整體行情將保持平穩(wěn)。美光預(yù)計2023年P(guān)C出貨量將以雙位數(shù)速度減少，但在2024年恢復(fù)5%左右的增長。

在服務(wù)器市場，經(jīng)過數(shù)月的庫存消耗，國內(nèi)服務(wù)器主要廠商的庫存水平也已經(jīng)回落至健康水位，近期市場詢單也在逐步增多，部分廠商也開始釋出訂單。另外，近期服務(wù)器市場DDR5產(chǎn)品需求也在明顯上升。美光相信其數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)收入已經(jīng)觸底，在2024年將恢復(fù)增長以滿足不斷增長的工作負(fù)載需求。

價格方面，從2021年Q3開始，以手機、PC為代表的消費電子需求率先走弱，隨后 DRAM和NAND Flash價格開始在2022年4月由漲轉(zhuǎn)跌。隨著需求市場的持續(xù)惡化，存儲價格跌幅在 2022年下半年及2023Q1逐漸擴大。根據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，從去年下半年到2023Q1 NAND和DRAM現(xiàn)貨市場價格指數(shù)跌幅均已經(jīng)超過50%。不過，經(jīng)過連續(xù)4個季度的劇烈調(diào)整后，原廠的減產(chǎn)效果已經(jīng)有了初步成效，存儲供需在Q2已逐步實現(xiàn)均衡。而隨著下半年開學(xué)季、國慶節(jié)、雙十一、圣誕節(jié)和春節(jié)消費旺季的來臨，下游客戶備貨加速，存儲在Q3迎來了久違的上漲行情。

從原廠的財報數(shù)據(jù)可以很好的驗證這一點。NAND Flash方面，據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，2023年二季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增長5%至91.28億美元。除了三星電子和鎧俠外，其他原廠均在二季度實現(xiàn)NAND Flash收入的環(huán)比增長；DRAM方面，在第二季度市場規(guī)模環(huán)比增長11.9%至106.75億美元，除了美光外，基本上所有原廠都實現(xiàn)了收入的環(huán)比增長。

資料來源：CFM閃存市場

而根據(jù)最新的財報來看，三星電子預(yù)期2023Q3合并銷售額約67萬億韓元，環(huán)比增長12%。綜合營業(yè)利潤約2.4萬億韓元，環(huán)比增長258%；美光在2023財年第四財季（2023年6-8月）營收40.1為億美元，環(huán)比增長7%，凈虧損11.77億美元（上季度-15.65億美元），虧損幅度較上季度減少。美光表示，因價格變化近期需求持續(xù)增強，一些客戶已對DRAM和NAND進行戰(zhàn)略性采購，以應(yīng)對隨市場開始復(fù)蘇低價無法持續(xù)的情況，預(yù)計公司整個2024財年的定價和盈利能力都會有所改善，尤其在明年下半年毛利潤將會回正。

存儲芯片普漲行情能走多遠(yuǎn)？

根據(jù)2023Q2財報數(shù)據(jù)，從全球半導(dǎo)體整體庫存水平來看（見圖表1），通過匯總半導(dǎo)體頭部廠商2020年以來的平均庫存天數(shù)變化可知，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了2020Q2之后的高速增長后，2023Q1達(dá)到歷史巔峰，2023Q2有所回落。從全球存儲芯片存貨水平來看（見圖表2），頭部存儲芯片廠商均處于高位，去庫存仍然是主要任務(wù)。

資料來源：Wind、芯八哥整理

2020Q1-2023Q2全球主要存儲芯片廠商存貨變化（單位：天）

資料來源：Wind、芯八哥整理

受減產(chǎn)效果驅(qū)動，原廠庫存壓力得到釋放，并在備貨需求的配合下，現(xiàn)貨市場迎來了久違的普漲行情。

從漲價品種來看，根據(jù)CFM閃存市場的數(shù)據(jù)，NAND Flash方面，受上游晶圓供應(yīng)趨緊影響，部分wafer官價上揚10%。在現(xiàn)貨市場上，eMMC及UFS價格維持小幅上調(diào)的趨勢，而SSD博弈激烈，部分行業(yè)SSD品種目前小幅上漲；而DRAM方面，DDR5、LPDDR5/5X、HBM等高階產(chǎn)品漲價5%左右不等，部分DDR4價格出現(xiàn)止跌小幅反彈的行情。

資料來源：CFM閃存市場

而從廠商漲價動態(tài)來看，據(jù)了解早在6月左右長江存儲原廠閃存正式開始漲價，幅度大約3-5％；三星和SK 海力士也不甘示弱，二者先后也宣布漲價。據(jù) digitime 報道，三星和 SK 海力士在6月左右已尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5% 以試探市場反應(yīng)。而在9月，據(jù)韓國媒體披露，三星與小米、OPPO及谷歌等客戶簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%-20％。

值得注意的是，目前SSD、內(nèi)存條、嵌入式和U盤等市場需求，基本都集中在旺季備貨需求。由備貨需求帶動的漲價浪潮，需要終端的實際需求落地，才能將行情持續(xù)發(fā)展下去。不過，雖然未來手機、PC、服務(wù)器三大主流市場需求不明朗，但是新能源汽車和AI等新興市場的機會是當(dāng)前可以把握的。

其中，在AI領(lǐng)域，Chat GPT的爆發(fā)帶動了AI 服務(wù)器需求的強勁增長。與普通服務(wù)器相比，AI 服務(wù)器除原有 DRAM 外還會用到 HBM。目前，存儲市場提供HBM產(chǎn)品廠商主要是三星、SK海力士、美光三家原廠。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2022年SK海力士占據(jù)HBM市場50%的份額，三星占比40%，美光占比10%。

資料來源：TrendForce

2023年開年后，三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加，HBM3規(guī)格DRAM價格上漲了5倍。三星電子表示，預(yù)計明年HBM市場將比今年增長一倍以上，公司HBM3在三星電子DRAM總銷售額中的份額預(yù)計將從今年的6%增至明年的18%。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，預(yù)計到2024年整體HBM行業(yè)營收將達(dá)到89億美元，年增127%。

在新能源汽車中，信息娛樂系統(tǒng)、動力系統(tǒng)和高級駕駛輔助（ADAS）系統(tǒng)中都需要使用存儲設(shè)備，根據(jù)CFM閃存市場的數(shù)據(jù)，預(yù)計到2030年汽車存儲市場規(guī)模將超過200億美金。

受益于新能源汽車高速發(fā)展，汽車存儲需求高速增長，存儲產(chǎn)業(yè)鏈廠商紛紛展開積極布局。其中，在車載易失性存儲方面，美光市占率超過40%，公司的車規(guī)級LPDDR5產(chǎn)品在去年已獲得ASIL D內(nèi)存認(rèn)證，并且已與多家汽車主機廠商、一級供應(yīng)商與芯片平臺供應(yīng)商的安全團隊密切合作；三星在近期宣布，公司已開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲器解決方案，提供128GB、256GB和512GB三種容量，預(yù)計將在今年年底向全球汽車制造商和零部件制造商供應(yīng)UFS 3.1產(chǎn)品；SK海力士則表示，在汽車市場上公司將加大UFS（通用閃存存儲器）、SSD（固態(tài)硬盤）等NAND閃存解決方案產(chǎn)品供應(yīng)，從而提高收益性。

資料來源：芯八哥整理

目前，市場上手機和服務(wù)器廠商訂單釋出已經(jīng)開始有所起色，由于調(diào)漲產(chǎn)品漲幅也在可接受范圍內(nèi)，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)預(yù)計下半年將開始顯現(xiàn)，因此核心客戶基本已經(jīng)默認(rèn)接受存儲市況已降無可降的現(xiàn)實。

展望未來，盡管宏觀經(jīng)濟環(huán)境依然有著不確定性，但隨著終端需求逐步恢復(fù)、庫存進一步正常化、單機容量的不斷增長，以及AI、新能源汽車的持續(xù)推動下，2024年存儲產(chǎn)業(yè)有望迎來其恢復(fù)之年。